IMEC 非營利協(xié)會李云龍獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉IMEC 非營利協(xié)會申請的專利像素化光電器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN113889498B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202110750501.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10K39/32;該發(fā)明授權(quán)像素化光電器件是由李云龍;S·格列里;毛明;L·莫雷諾哈格爾西布設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-07-02向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本像素化光電器件在說明書摘要公布了:公開了一種用于形成像素化光電堆疊的方法,該方法包括獲得堆疊層結(jié)構(gòu),該堆疊層結(jié)構(gòu)包括底部電極層、該底部電極層上方的光電層、以及該光電層上方的包括圖案的圖案化硬掩模;將該圖案復(fù)制到該光電層和底部電極層中,以由此獲得包括由無堆疊區(qū)域彼此隔開的至少兩個堆疊島的第一中間像素化堆疊;在該第一中間像素化堆疊上提供電絕緣層;移除該電絕緣層的頂部并移除任何剩余硬掩模以使得該電絕緣層的頂表面與該第一中間像素化堆疊的暴露的頂表面共面;產(chǎn)生第二中間像素化堆疊;以及在該第二中間像素化堆疊上方形成頂部透明電極層。
本發(fā)明授權(quán)像素化光電器件在權(quán)利要求書中公布了:1.一種用于在襯底之上形成像素化光電堆疊的方法,所述方法包括: i.獲得襯底上的堆疊層結(jié)構(gòu),所述堆疊層結(jié)構(gòu)包括底部電極層、所述底部電極層上方的光電層,以及在所述光電層上方且包括圖案的圖案化硬掩模,所述圖案包括由無硬掩模區(qū)域隔開的至少兩個硬掩模島, ii.通過相對于所述硬掩模選擇性地蝕刻穿過所述光電層和所述底部電極層來將所述圖案復(fù)制到所述光電層和所述底部電極層中,由此獲得所述襯底之上的第一中間像素化堆疊,所述第一中間像素化堆疊包括由無堆疊區(qū)域彼此隔開的至少兩個堆疊島, iii.在所述第一中間像素化堆疊上提供電絕緣層以填充所述無堆疊區(qū)域并覆蓋所述至少兩個堆疊島, iv.移除所述電絕緣層的頂部并移除任何剩余硬掩模以使得所述電絕緣層的頂表面與所述第一中間像素化堆疊的暴露的頂表面共面,以產(chǎn)生所述襯底之上的第二中間像素化堆疊,以及 v.在所述第二中間像素化堆疊上方形成頂部透明電極層。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人IMEC 非營利協(xié)會,其通訊地址為:比利時勒芬;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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