南亞科技股份有限公司康庭慈獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南亞科技股份有限公司申請的專利半導體結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113948450B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110802419.9，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體結構及其制造方法是由康庭慈;丘世仰設計研發完成，并于2021-07-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制造方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的制造方法，包括以下步驟：提供第一半導體晶圓，其中第一半導體晶圓包括第一介電層及嵌入第一介電層內的至少一第一頂部金屬化結構，且第一介電層的頂面比第一頂部金屬化結構高出第一距離；提供第二半導體晶圓，其中第二半導體晶圓包括第二介電層及嵌入第二介電層內的至少一第二頂部金屬化結構，且第二頂部金屬化結構的頂面比第二介電層的頂面高出第二距離；以及混合接合第一半導體晶圓及第二半導體晶圓。借此，第一頂部金屬化結構與第二頂部金屬化結構之間的接合可準確且緊密，并且在兩者之間不會產生任何空隙，從而可很好地實現第一半導體晶圓與第二半導體晶圓之間的高接合強度。
本發明授權半導體結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括： 提供第一半導體晶圓，其中該第一半導體晶圓包括第一介電層及嵌入該第一介電層內的至少一第一頂部金屬化結構，且該第一介電層的頂面比該第一頂部金屬化結構高出第一距離； 提供第二半導體晶圓，其中該第二半導體晶圓包括第二介電層及嵌入該第二介電層內的至少一第二頂部金屬化結構，且該第二頂部金屬化結構的頂面比該第二介電層的頂面高出第二距離，且提供該第二半導體晶圓包括： 在該第二介電層上垂直形成蝕刻停止層，其中該蝕刻停止層的厚度大致上等于該第二距離；以及 混合接合該第一半導體晶圓及該第二半導體晶圓。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南亞科技股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新北市泰山區南林路98號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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