硅晶體有限公司邁克爾·沃格爾獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉硅晶體有限公司申請的專利具有用于減少裂縫的最佳晶面取向的碳化硅晶體及其生產方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113964017B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110826666.2，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權具有用于減少裂縫的最佳晶面取向的碳化硅晶體及其生產方法是由邁克爾·沃格爾;歐文·施密特;阿恩德-迪特里?！ろf伯;拉爾夫-烏韋·巴爾茨;多米尼克·巴恩斯巴赫設計研發完成，并于2021-07-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有用于減少裂縫的最佳晶面取向的碳化硅晶體及其生產方法在說明書摘要公布了：本發明涉及具有用于減少裂縫的最佳晶面取向的碳化硅晶體及其生產方法，尤其提供了一種其晶體結構的特定取向設定為減少或者甚至消除機械加工期間裂紋或裂縫的出現的單晶4H?SiC半成品及其生產方法。具有縱向軸線和平行于所述縱向軸線的至少部分彎曲的側表面的單晶4H?SiC半成品的特征在于，4H?SiC半成品的晶體結構相對于縱向軸線取向成使得在半成品的側表面上的每個位置都有線段，該線段與每單位長度上至少預定最小數量的型的平行解理面相交，其中所述線段由在所述位置處與側表面相切的平面限定。
本發明授權具有用于減少裂縫的最佳晶面取向的碳化硅晶體及其生產方法在權利要求書中公布了：1.一種具有提高的抗解理機械魯棒性的單晶4H-SiC半成品，所述單晶4H-SiC半成品具有縱向軸線和平行于所述縱向軸線的至少部分彎曲的側表面， 其特征在于， 所述4H-SiC半成品的晶體結構相對于所述縱向軸線取向成使得在所述半成品的所述側表面上的每個位置處都有這樣的線段，所述線段與每毫米線段長度上至少1000個{}型的平行解理面相交， 4H-SiC晶體結構的基面的主軸線相對于所述縱向軸線朝著方向傾斜第一傾斜角，所述第一傾斜角為4°，容差為±0.5°；和 所述基面的主軸線相對于所述縱向軸線朝著方向傾斜第二傾斜角， 所述第二傾斜角為選自區間[0.015°，0.153°]的值， 其中，所述線段由在所述位置處與所述側表面相切的平面限定。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人硅晶體有限公司，其通訊地址為：德國紐倫堡；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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