中芯南方集成電路制造有限公司張海獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯南方集成電路制造有限公司申請的專利套刻偏差的量測方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115704852B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110913637.X,技術領域涉及:G01R31/26;該發明授權套刻偏差的量測方法是由張海;楊曉松;吳怡旻設計研發完成,并于2021-08-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本套刻偏差的量測方法在說明書摘要公布了:一種套刻偏差的量測方法,包括:提供若干批次待測晶圓;在若干批次待測晶圓中獲取若干樣品晶圓;采用第一光照劑量對樣品晶圓進行第一套刻偏差量測,獲取第一量測值組;采用第二光照劑量對樣品晶圓進行第二套刻偏差量測,獲取第二量測值組,所述第一光照劑量高于所述第二光照劑量;獲取所述第一量測值組和所述第二量測值組的平均偏差值組;在所述若干批次待測晶圓中獲取實測晶圓;采用所述第二光照劑量或所述第一光照劑量對實測晶圓的所有區域點進行第三套刻偏差量測,獲取實測晶圓的第三量測值組;采用所述平均偏差值組對所述第三量測值組點對點進行校準,獲取實測晶圓的套刻偏差值組。從而,在保證量測精度的同時可以提高量測效率。
本發明授權套刻偏差的量測方法在權利要求書中公布了:1.一種套刻偏差的量測方法,其特征在于,包括: 提供若干批次待測晶圓; 在所述若干批次待測晶圓中獲取若干樣品晶圓; 采用第一光照劑量對所述樣品晶圓進行第一套刻偏差量測,獲取第一量測值組; 采用第二光照劑量對所述樣品晶圓進行第二套刻偏差量測,獲取第二量測值組,所述第一光照劑量高于所述第二光照劑量; 獲取所述第一量測值組和所述第二量測值組的平均偏差值組; 在所述若干批次待測晶圓中獲取實測晶圓; 采用所述第二光照劑量對所述實測晶圓的所有區域點進行第三套刻偏差量測,獲取所述實測晶圓的第三量測值組; 采用所述平均偏差值組對所述第三量測值組點對點進行校準,獲取所述實測晶圓的套刻偏差值組。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人中芯南方集成電路制造有限公司,其通訊地址為:201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區張江路18號3號樓5樓;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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