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龍圖騰網(wǎng)獲悉浙江馳拓科技有限公司申請(qǐng)的專利一種MRAM寫失效的檢測(cè)處理方法及檢測(cè)處理電路、MRAM獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115910138B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110977920.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C11/16；該發(fā)明授權(quán)一種MRAM寫失效的檢測(cè)處理方法及檢測(cè)處理電路、MRAM是由孫慷;吳愛龍;何世坤;徐曉波設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-08-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種MRAM寫失效的檢測(cè)處理方法及檢測(cè)處理電路、MRAM在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種MRAM寫失效的檢測(cè)處理方法及檢測(cè)處理電路、MRAM，該檢測(cè)處理方法包括：采用電壓值為V1的寫電壓，向MRAM的待測(cè)存儲(chǔ)區(qū)寫入第一數(shù)據(jù)；該待測(cè)存儲(chǔ)區(qū)在應(yīng)用時(shí)的正常寫電壓值為V2，且V1＜V2；讀取待測(cè)存儲(chǔ)區(qū)中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，獲得第二數(shù)據(jù)；比較第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)，檢測(cè)出待測(cè)存儲(chǔ)區(qū)中寫失效的存儲(chǔ)元。使得在進(jìn)行寫失效的檢測(cè)過程中，WER與寫電流的關(guān)系曲線存在較長(zhǎng)拖尾的異常存儲(chǔ)元的失效概率提升程度，遠(yuǎn)大于WER與寫電流的關(guān)系曲線存在較短拖尾的正常存儲(chǔ)元的失效概率提升程度，從而能夠檢測(cè)出更多寫失效的異常存儲(chǔ)元，提升整體的失效存儲(chǔ)元的檢測(cè)覆蓋率。檢測(cè)處理方法能夠通過簡(jiǎn)單的算法電路即可實(shí)現(xiàn)檢測(cè)，更加高效的運(yùn)用到篩片工序中。

本發(fā)明授權(quán)一種MRAM寫失效的檢測(cè)處理方法及檢測(cè)處理電路、MRAM在權(quán)利要求書中公布了：1.一種MRAM寫失效的檢測(cè)處理方法，其特征在于，包括： 步驟1：采用電壓值為V1的寫電壓，向所述MRAM的待測(cè)存儲(chǔ)區(qū)寫入第一數(shù)據(jù)；其中，所述待測(cè)存儲(chǔ)區(qū)在應(yīng)用時(shí)的正常寫電壓值為V2，且V1＜V2； 步驟2：讀出所述待測(cè)存儲(chǔ)區(qū)中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，獲得第二數(shù)據(jù)； 步驟3：比較所述第一數(shù)據(jù)和所述第二數(shù)據(jù)，檢測(cè)出所述待測(cè)存儲(chǔ)區(qū)中寫失效的存儲(chǔ)元。

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