格芯(美國)集成電路科技有限公司A·K·斯塔珀獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉格芯(美國)集成電路科技有限公司申請的專利具有腔結構的絕緣體上半導體晶片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114256273B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111098790.8，技術領域涉及：H10D86/00；該發明授權具有腔結構的絕緣體上半導體晶片是由A·K·斯塔珀;S·P·埃杜蘇米利;B·W·波思;J·J·埃利斯-莫納甘設計研發完成，并于2021-09-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有腔結構的絕緣體上半導體晶片在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體結構，更具體地涉及具有腔結構的絕緣體上半導體襯底及制造方法。該結構包括：體襯底，其具有至少一個直線型腔結構；絕緣體材料，其密封該至少一個直線型腔結構；以及掩埋絕緣體層，其位于體襯底上以及該至少一個直線型腔結構之上。
本發明授權具有腔結構的絕緣體上半導體晶片在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，包括： 體襯底，其具有至少一個直線型腔結構； 絕緣體材料，其密封所述至少一個直線型腔結構； 掩埋絕緣體層，其位于所述體襯底上以及所述至少一個直線型腔結構之上；以及 半導體材料，其位于所述掩埋絕緣體層上并且位于所述至少一個直線型腔結構上方，其中，所述絕緣體材料位于所述半導體材料之上并且接觸所述半導體材料， 其中，所述至少一個直線型腔結構由所述體襯底以及其頂表面處的所述掩埋絕緣體層的部分界定， 其中，所述絕緣體材料接觸所述掩埋絕緣體層的所述部分并且在所述掩埋絕緣體層的開口內延伸。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人格芯(美國)集成電路科技有限公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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