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龍圖騰網獲悉淮安澳洋順昌光電技術有限公司申請的專利LED芯片及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113793889B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111198536.5，技術領域涉及：H10H20/831；該發(fā)明授權LED芯片及其制備方法是由王思博;李冬梅;廖漢忠設計研發(fā)完成，并于2021-10-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本LED芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，具體而言，涉及一種LED芯片及其制備方法。包括：襯底、外延層、電流阻擋層、電流擴展層、第一P型電極、第一N型電極、第一絕緣層、第二P型電極、第二N型電極、第二絕緣層、第三P型電極、第三N型電極、P型焊盤和N型焊盤。該LED芯片通過改進倒裝芯片的電極設計，通過增加第三N型電極和第三P型電極，且第三N型電極與P型焊盤在空間上無任何重疊，同理第三P型電極與N型焊盤在空間上也無任何重疊，二者無接觸可能，不存在因為任何原因導致氧化硅斷裂，而導致極性不同的P、N型電極互連而發(fā)生漏電失效的問題，從而提高了芯片的可靠性。

本發(fā)明授權LED芯片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.LED芯片，其特征在于，包括： 襯底； 具有PN臺階的外延片，所述外延片包括N型半導體層、發(fā)光層和P型半導體層；所述P型半導體層上設置有電流擴展層； 至少一個第一P型電極，位于所述PN臺階上，并與所述P型半導體層電性連接； 至少一個第一N型電極，位于所述N型半導體層上與所述N型半導體層電性連接； 第一絕緣層，覆蓋所述第一N型電極、所述PN臺階、所述第一P型電極以及所述N型半導體層，并設置有多個第一通孔和多個第二通孔； 第二P型電極，設置于所述第一絕緣層上，通過所述第一通孔與所述第一P型電極電性連接； 第二N型電極，設置于所述第一絕緣層上，通過所述第二通孔與所述第一N型電極電性連接； 第二絕緣層，覆蓋所述第二P型電極、所述第二N型電極和所述第一絕緣層，并設置有多個第三通孔和多個第四通孔； 第三P型電極，設置于第二絕緣層上，通過所述第三通孔與所述第二P型電極電性連接； 第三N型電極，設置于第二絕緣層上，通過所述第四通孔與所述第二N型電極電性連接； P型焊盤，設置于所述第三P型電極上，并與第三P型電極電性連接； N型焊盤，設置于所述第三N型電極上，并于第三N型電極電性連接； 在垂直剖視圖方向，所述N型焊盤與所述第二P型電極之間至少設置有所述第三N型電極，所述P型焊盤與所述第二N型電極之間至少設置有所述第三P型電極。

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