買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉同濟大學申請的專利一種靜態雙能斷層合成攝像系統和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114081517B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111201682.9，技術領域涉及：A61B6/03；該發明授權一種靜態雙能斷層合成攝像系統和方法是由趙生捷;張桐設計研發完成，并于2021-10-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種靜態雙能斷層合成攝像系統和方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種靜態雙能斷層合成攝像系統和方法，系統包括固定機架，該固定機架的一端固定有分布式碳納米管陣列光源，另一端固定有雙層探測器，分布式碳納米管陣列光源包括分布式排列的多個場致發射光源，雙層探測器包括兩個相互疊加的閃爍探測器，分別用于吸收低能X射線光子和高能X射線光子。與現有技術相比，本發明利用分布式碳納米管陣列光源替代傳統BDT中的單射線源+旋轉機架架構，避免了多角度測量中的掃描過程；采用雙層探測器分別接收兩個能譜區間的測量信息，由此可以重建出包含模體材質組分信息的多能譜斷層圖像，可以發現在二維圖像中隱匿的微小病變，減少了不必要的活檢以及測量時間和潛在的運動偽影。

本發明授權一種靜態雙能斷層合成攝像系統和方法在權利要求書中公布了：1.一種靜態雙能斷層合成攝像系統的斷層合成攝像方法，其特征在于，所述靜態雙能斷層合成攝像系統包括固定機架，該固定機架的一端固定有分布式碳納米管陣列光源，另一端固定有雙層探測器，所述分布式碳納米管陣列光源包括分布式排列的多個場致發射光源，所述雙層探測器包括兩個相互疊加的閃爍探測器，分別用于吸收低能X射線光子和高能X射線光子； 所述方法包括以下步驟： 將待攝像模體安裝在所述雙層探測器前，通過分布式碳納米管陣列光源根據預先設置的脈沖信號發射X射線，通過電信號同步觸發控制雙層探測器的曝光，同時獲得低能和高能兩個譜段的測量數據； 根據預先構建的探測器測量值計算公式與獲得的低能和高能兩個譜段的測量數據結合，構建重建圖像的優化問題，通過不斷迭代優化，獲取重建圖像的最優解，并與基礎材料衰減系數相乘，得到該待攝像模體的能譜斷層圖像； 所述探測器測量值計算公式的構建過程包括： 分別構建雙層探測器的低能和高能測量值計算公式； 根據待攝像模體的組分，獲取待攝像模體線性衰減系數，并代入所述低能和高能測量值計算公式中； 將所述低能和高能測量值計算公式轉化為離散化的形式，并構建包含所有場致發射光源的低能和高能測量值計算公式； 所述雙層探測器的低能和高能測量值計算公式為： 式中，I0E為場致發射光源的能譜，DE為雙層探測器的能譜響應，為模體在點的線性衰減系數，為X射線的投影路徑，Eth為高低能量區分閾值，Ilow為低能測量值，Ihigh為高能測量值，Emin為能量最小值，Emax為能量最大值； 所述待攝像模體的組分包括脂肪和腺體，所述待攝像模體的線性衰減系數的表達式為： 式中，τE表示組分的線性衰減系數，表示該組分在點的比重，下標1和2分別對應組分脂肪和腺體； 代入待攝像模體線性衰減系數后，所述低能和高能測量值計算公式為： 包含所有場致發射光源的低能和高能測量值計算公式為： ylow＝exp-HXT·wlow yhigh＝exp-HXT·whigh 式中，ylow為包含所有場致發射光源的低能測量值，yhigh為包含所有場致發射光源的高能測量值，ylow,Mx×My為雙層探測器的探測維度，wlow,表示雙能探測器的高低能譜響應，表示離散為N個體元的模體中每個體元中第l種基礎材料的權重，表示2種材料在共計K個能譜區間的譜衰減，H為各投影路徑和模體中每個體元的交集。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人同濟大學，其通訊地址為：200092 上海市楊浦區四平路1239號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。