買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉復(fù)旦大學;上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司申請的專利源漏限制外延的方法，器件制備方法、器件、設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114783877B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210198169.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)源漏限制外延的方法，器件制備方法、器件、設(shè)備是由劉桃;徐敏;張衛(wèi);汪大偉;孫新;陳鯤;楊靜雯;吳春蕾;王晨;徐賽生;尹睿設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-03-01向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本源漏限制外延的方法，器件制備方法、器件、設(shè)備在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種環(huán)柵器件上源漏可控限制外延的方法，包括：在襯底上形成沿第一方向排列的若干鰭結(jié)構(gòu)，在所述若干鰭結(jié)構(gòu)上形成沿第二方向排列的若干假柵結(jié)構(gòu)，且每個假柵結(jié)構(gòu)橫跨所述若干鰭結(jié)構(gòu)中的每個鰭結(jié)構(gòu)；刻蝕所述鰭結(jié)構(gòu)形成若干源漏空腔；在相鄰鰭結(jié)構(gòu)之間形成沿所述第一方向排列的第一隔離層，以隔離相鄰鰭結(jié)構(gòu)之間的源漏空腔；在所述源漏空腔中外延源漏層；去除所述第一隔離層。使得所述源漏層的厚度可以限制在應(yīng)力釋放的臨界厚度內(nèi)，以實現(xiàn)減少因失配錯位導(dǎo)致的應(yīng)力弛豫現(xiàn)象；當然地，通過對所述源漏層厚度的限制，可以限制源漏層于柵極之間的的接觸面的面積，從而限制寄生電容。

本發(fā)明授權(quán)源漏限制外延的方法，器件制備方法、器件、設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種環(huán)柵器件上源漏可控限制外延的方法，其特征在于，包括： 提供一襯底； 在所述襯底上形成沿第一方向排列的若干鰭結(jié)構(gòu)，以及位于相鄰鰭結(jié)構(gòu)之間的淺槽隔離結(jié)構(gòu)； 在所述若干鰭結(jié)構(gòu)上形成沿第二方向排列的若干假柵結(jié)構(gòu)，且每個假柵結(jié)構(gòu)橫跨所述若干鰭結(jié)構(gòu)中的每個鰭結(jié)構(gòu)； 刻蝕所述鰭結(jié)構(gòu)形成若干源漏空腔； 在相鄰鰭結(jié)構(gòu)之間形成沿所述第一方向排列的第一隔離層，以隔離相鄰鰭結(jié)構(gòu)之間的源漏空腔； 在所述源漏空腔中外延源漏層； 去除所述第一隔離層； 其中，所述第一方向與所述第二方向相互垂直。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人復(fù)旦大學;上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司，其通訊地址為：200433 上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。