中國科學院微電子研究所邢國忠獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利一種斯格明子晶體管及斯格明子晶體管控制方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114744108B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210296254.7,技術領域涉及:H10N50/10;該發明授權一種斯格明子晶體管及斯格明子晶體管控制方法是由邢國忠;張昊;趙雪峰;劉龍;王迪;林淮;王紫崴設計研發完成,并于2022-03-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種斯格明子晶體管及斯格明子晶體管控制方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種斯格明子晶體管及斯格明子晶體管控制方法,該晶體管包括:鐵磁納米管;分別環繞設置在鐵磁納米管的兩端的寫入磁性隧道結和讀取磁性隧道結;鐵電環,環繞設置在鐵磁納米管的外側,且位于寫入磁性隧道結和讀取磁性隧道結之間,鐵磁納米管與鐵電環形成鐵磁鐵電異質結;其中,第一電流沿垂直方向注入寫入磁性隧道結后,鐵磁納米管在第一電流的誘導下形成斯格明子;關閉第一電流,且鐵磁納米管通入軸向方向上的第二電流后,斯格明子在第二電流的驅動下沿軸向方向運動;在鐵電環上施加控制電壓,以通過調節控制電壓來控制斯格明子的運動狀態。上述方案,能夠有效提高斯格明子的移動速度,實現晶體管信號傳遞的大幅度提高。
本發明授權一種斯格明子晶體管及斯格明子晶體管控制方法在權利要求書中公布了:1.一種斯格明子晶體管,其特征在于,包括: 鐵磁納米管; 寫入磁性隧道結,環繞設置在所述鐵磁納米管的一端; 讀取磁性隧道結,環繞設置在所述鐵磁納米管的另一端; 鐵電環,環繞設置在所述鐵磁納米管的外側,且位于所述寫入磁性隧道結和所述讀取磁性隧道結之間,所述鐵磁納米管與所述鐵電環形成鐵磁鐵電異質結; 其中,第一電流沿垂直方向注入所述寫入磁性隧道結后,所述鐵磁納米管在所述第一電流的誘導下形成斯格明子;關閉所述第一電流,且所述鐵磁納米管通入軸向方向上的第二電流后,所述斯格明子在所述第二電流的驅動下沿所述軸向方向運動;在所述鐵電環上施加控制電壓,以通過調節所述控制電壓來控制所述斯格明子的運動狀態。
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