北京大學高潤雄獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京大學申請的專利基于憶阻器的存算一體的計算單元、陣列電路與控制方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114662682B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210306111.X，技術領域涉及：G06N3/063；該發明授權基于憶阻器的存算一體的計算單元、陣列電路與控制方法是由高潤雄;賈嵩;段杰斌設計研發完成，并于2022-03-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于憶阻器的存算一體的計算單元、陣列電路與控制方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種基于憶阻器的存算一體的計算單元、陣列電路與控制方法，計算單元的第一MOS管的漏極與第一電壓輸入信號連接，第二MOS管的源極與第二電壓輸入信號連接；第一MOS管的柵極、第二MOS管的柵極與控制電壓信號共同連接；第一MOS管的源極與第一憶阻器的一端連接，第二MOS管的漏極與第二憶阻器的一端連接；第一憶阻器的另一端、第二憶阻器的另一端與第四MOS管的柵極共同連接；第四MOS管的漏極與第三MOS管的源極連接，第四MOS管的源極與第五MOS管的漏極連接，第五MOS管的源極接地，第三MOS管的漏極作為電流輸出端，可以提高電路輸出電流的精確性，并且在硬件上實現神經網絡的剪枝功能。
本發明授權基于憶阻器的存算一體的計算單元、陣列電路與控制方法在權利要求書中公布了：1.一種基于憶阻器的存算一體的計算單元，其特征在于，所述計算單元用于執行神經網絡中的卷積運算，所述計算單元包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一憶阻器和第二憶阻器； 其中，所述第一MOS管的漏極源級與第一電壓輸入信號連接，所述第二MOS管的源極漏級與第二電壓輸入信號連接；所述第一MOS管的柵極、所述第二MOS管的柵極與控制電壓信號共同連接；所述第一MOS管的源極漏級與所述第一憶阻器的一端連接，所述第二MOS管的漏極源級與所述第二憶阻器的一端連接；所述第一憶阻器的另一端、所述第二憶阻器的另一端與所述第四MOS管的柵極共同連接；所述第四MOS管的漏極與所述第三MOS管的源極連接，所述第四MOS管的源極與所述第五MOS管的漏極源級連接；所述第五MOS管的柵極接第一偏置電壓，所述第五MOS管的源極漏級接地；所述第三MOS管的柵極接第二偏置電壓，所述第三MOS管的漏極作為電流輸出端。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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