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龍圖騰網獲悉湘潭大學申請的專利一種基于CsPbBr₃納米片光電探測器的測試裝置及其測試方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115031834B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210614821.9，技術領域涉及：G01J1/42；該發明授權一種基于CsPbBr₃納米片光電探測器的測試裝置及其測試方法是由董輝;吳回港;鄭學軍;黃開鴻;黃樂設計研發完成，并于2022-06-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于CsPbBr₃納米片光電探測器的測試裝置及其測試方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于CsPbBr3納米片光電探測器的測試裝置及其測試方法，測試裝置包括CsPbBr3納米片光電探測器、力電控制平臺和系統測試儀；CsPbBr3納米片薄膜與ITO形成肖特基勢壘，將光生電子?空穴對分開，從而構成具有高光電效應的光電探測器；CsPbBr3納米片探測器設置于力電控制平臺上并與系統測試儀電連接；系統測試儀與計算機電連接；檢測光源設置于CsPbBr3納米片光電探測器的正上方。本發明基于半導體物理和壓電光電子學理論，建立一個跨越原子?微觀?宏觀尺度的多尺度物理模型定量描述CsPbBr3納米片光電探測器的光力電耦合性能。

本發明授權一種基于CsPbBr₃納米片光電探測器的測試裝置及其測試方法在權利要求書中公布了：1.一種基于肖特基勢壘型CsPbBr3納米片光電探測器的光力電耦合測試裝置的測試方法，其特征在于包括以下步驟： Ａ1:將CsPbBr3納米片光電探測器置于力電控制平臺上，其電極與系統測試儀相連； Ａ2:力電控制平臺對CsPbBr3納米片光電探測器施加力和電壓，并用檢測光源照射CsPbBr3納米片光電探測器； Ａ3:通過連接光力電耦合測試裝置的計算機讀取施加到器件上的應變s11，以及施加的電壓U，并代入公式（1），得到光電探測器在力和光的條件下的電流密度： （1） 上述公式中：A為理查森-杜斯曼常數，τn為載流子壽命,η為量子效率，V為物質體積,P為激光輸出功率,h為普朗克常數,υ為光子頻率，Φns0為無應變下肖特基勢壘,q為單個電子電荷,s11為施加的應變,wpiezo為壓電電荷寬度,εs為相對介電常數，e11是壓電系數；T是溫度，k是玻爾茲曼常數；n為電子濃度； 所述光力電耦合測試裝置包括力電控制平臺、系統測試儀、檢測光源和激光聚焦鏡頭；力電控制平臺上設置CsPbBr3納米片光電探測器，檢測光源設置于CsPbBr3納米片光電探測器的正上方；檢測光源和激光聚焦鏡頭連接，CsPbBr3納米片光電探測器與系統測試儀電連接，系統測試儀與計算機電連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湘潭大學，其通訊地址為：411105 湖南省湘潭市雨湖區羊牯塘27號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。