中國科學院微電子研究所李純獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利一種半導體器件的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115116956B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210634591.2，技術領域涉及：H10D84/01；該發明授權一種半導體器件的制造方法是由李純;劉昊炎;李永亮;殷華湘;羅軍;王文武設計研發完成，并于2022-06-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件的制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種半導體器件的制造方法，涉及半導體技術領域，用于降低具有異質溝道的CFET器件的集成難度。所述半導體器件的制造方法包括：在基底上形成鰭狀結構。沿著基底的高度方向，鰭狀結構依次包括第一鰭部、器件隔離層和第二鰭部。第一鰭部包括至少一層第一半導體層。器件隔離層與第一半導體層的材質相同。第二鰭部包括至少一層第二半導體層。第一半導體層和第二半導體層的材質不同。至少在第一鰭部沿寬度方向的兩側形成保護層。至少對暴露在保護層之外的器件隔離層進行絕緣處理，獲得隔離材料層。去除保護層。基于第一鰭部包括的第一半導體層制造第一晶體管包括的第一溝道、以及基于第二鰭部包括的第二半導體層制造第二晶體管包括的第二溝道。
本發明授權一種半導體器件的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括： 在基底上形成鰭狀結構；沿著所述基底的高度方向，所述鰭狀結構依次包括第一鰭部、器件隔離層和第二鰭部；所述第一鰭部包括至少一層第一半導體層；所述器件隔離層與所述第一半導體層的材質相同；所述第二鰭部包括至少一層第二半導體層；所述第一半導體層和所述第二半導體層的材質不同； 至少在所述第一鰭部沿寬度方向的兩側形成保護層；所述保護層的頂部高度介于所述器件隔離層的頂部高度與底部高度之間； 至少對暴露在所述保護層之外的所述器件隔離層進行絕緣處理，獲得隔離材料層； 去除所述保護層； 基于所述第一鰭部包括的第一半導體層制造第一晶體管包括的第一溝道、以及基于所述第二鰭部包括的所述第二半導體層制造第二晶體管包括的第二溝道；所述第一晶體管和所述第二晶體管的導電類型相反，所述第一晶體管和所述第二晶體管中的至少一者為鰭式場效應晶體管或環柵晶體管。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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