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龍圖騰網獲悉哈爾濱工業大學申請的專利基于離子注入技術模擬硅表面氧化層生長的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115186462B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210762601.0，技術領域涉及：G06F30/20；該發明授權基于離子注入技術模擬硅表面氧化層生長的方法是由劉中利;李興冀;楊劍群;徐曉東;崔秀海設計研發完成，并于2022-06-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于離子注入技術模擬硅表面氧化層生長的方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種基于離子注入技術模擬硅表面氧化層生長的方法，涉及半導體材料制備技術領域，包括如下步驟：步驟S1：構建單晶硅的模型，在模型中的單晶硅表面設置真空層，采用反應力場分子動力學方法使單晶硅處于初始平衡狀態；步驟S2：加熱單晶硅至反應溫度，間隔預設時間，重復在隨機位置將O原子向單晶硅表面發射，至單晶硅表面發生氧化反應；待氧化反應結束并達到平衡狀態后，對模型退火，得到氧化層；步驟S3：獲取并評估氧化層的組織形態參數，若組織形態參數未滿足預設要求，重復并優化步驟S1和步驟S2直到組織形態參數達到預設要求。本發明通過獲取的工藝參數指導實際離子注入技術，實現低成本高效率的指導作用。

本發明授權基于離子注入技術模擬硅表面氧化層生長的方法在權利要求書中公布了：1.一種基于離子注入技術模擬硅表面氧化層生長的方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟S1：構建單晶硅的模型，在所述模型中的所述單晶硅表面設置真空層，采用反應力場分子動力學方法使所述單晶硅處于初始平衡狀態； 步驟S2：加熱所述單晶硅至反應溫度，間隔預設時間，重復在隨機位置將O原子向所述單晶硅表面發射，至所述單晶硅表面發生氧化反應；待所述氧化反應結束并達到平衡狀態后，對所述模型退火，得到氧化層；所述發射速度的范圍為1500~3000ms，發射方向為沿逆[100]晶向的方向； 步驟S3：獲取并評估所述氧化層的組織形態參數，若所述組織形態參數未滿足預設要求，重復并優化步驟S1和步驟S2直到所述組織形態參數達到所述預設要求; 其中，步驟S1中，所述單晶硅的所述初始平衡狀態包括：對所述單晶硅原子位置進行優化后，弛豫到常壓狀態，使所述單晶硅原子的受力為零的狀態； 步驟S3中，所述優化步驟S1和S2包括：優化所述步驟S2的所述反應溫度、所述預設時間、所述發射方式和所述退火方式；所述氧化層的組織形態參數至少包括：密度、硅氧比、缺陷類型及缺陷濃度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人哈爾濱工業大學，其通訊地址為：150000 黑龍江省哈爾濱市南崗區西大直街92號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。