乂易半導體科技(無錫)有限公司朱焱均獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)獲悉乂易半導體科技(無錫)有限公司申請的專利用于晶圓加工的刻蝕設備及刻蝕方法獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予,授權公告號為:CN115188692B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:202210936223.3,技術領域涉及:H01L21/67;該發(fā)明授權用于晶圓加工的刻蝕設備及刻蝕方法是由朱焱均;燕強;趙大國;王堯林;劉康華;李雨庭設計研發(fā)完成,并于2022-08-05向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本用于晶圓加工的刻蝕設備及刻蝕方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及晶圓加工設備技術領域,涉及一種用于晶圓加工的刻蝕設備及刻蝕方法。刻蝕設備包括噴涂裝置、儲液裝置和控制裝置;噴涂裝置用于朝向晶圓噴涂或回收蝕刻液;儲液件用于儲存蝕刻液,并通過濃度傳感器獲取儲液件內(nèi)蝕刻液的濃度信號。使用本實施例的刻蝕設備時,通過設置的噴涂裝置可以將蝕刻液噴涂至晶圓上,或將晶圓上的蝕刻液回收至儲液裝置中,通過設置在儲液件內(nèi)的濃度傳感器對儲液件內(nèi)的蝕刻液的濃度進行實時監(jiān)測,控制裝置可以根據(jù)預設程序對刻蝕設備的刻蝕時間進行調整,以提高不同批次之間晶圓的刻蝕均勻度,從而提高加工質量。
本發(fā)明授權用于晶圓加工的刻蝕設備及刻蝕方法在權利要求書中公布了:1.一種刻蝕設備的刻蝕方法,其特征在于,借助用于晶圓加工的刻蝕設備實現(xiàn),所述用于晶圓加工的刻蝕設備包括: 噴涂裝置,用于朝向晶圓噴涂或回收蝕刻液; 儲液裝置,包括儲液件和濃度傳感器,所述儲液件用于儲存所述蝕刻液,且所述儲液件通過管道連接于所述噴涂裝置,所述濃度傳感器用于獲取所述儲液件內(nèi)所述蝕刻液的濃度信號;以及控制裝置,信號連接于所述噴涂裝置和所述濃度傳感器,所述控制裝置根據(jù)所述濃度信號控制所述噴涂裝置的吸收所述晶圓上的所述蝕刻液; 所述儲液裝置的數(shù)量為多組,其中一組所述儲液裝置為第一儲液裝置,另一組所述儲液裝置為第二儲液裝置,所述第一儲液裝置用于輸出所述蝕刻液,所述第二儲液裝置用于接收所述噴涂裝置吸收的所述蝕刻液; 所述刻蝕方法包括如下步驟: 將蝕刻液加入所述第一儲液裝置內(nèi); 獲取所述第一儲液裝置的所述濃度傳感器獲取的第一濃度信號,并根據(jù)獲取的所述第一濃度信號控制所述噴涂裝置按照第一預設時間對晶圓噴涂所述蝕刻液; 刻蝕完成之后所述噴涂裝置吸收所述晶圓上的所述蝕刻液并輸送至所述第二儲液裝置內(nèi); 獲取所述第二儲液裝置的所述濃度傳感器獲取的第二濃度信號,并根據(jù)獲取的所述第二濃度信號控制所述噴涂裝置按照第二預設時間對晶圓噴涂所述蝕刻液;所述第一濃度信號數(shù)值大于所述第二濃度信號數(shù)值,所述第一預設時間小于所述第二預設時間。
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