上海精測半導體技術有限公司張曉雷獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海精測半導體技術有限公司申請的專利一種獲取理論光譜的方法、形貌參數測量方法及裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115540779B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211060933.0，技術領域涉及：G01B11/24；該發明授權一種獲取理論光譜的方法、形貌參數測量方法及裝置是由張曉雷;張厚道;梁洪濤;施耀明設計研發完成，并于2022-08-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種獲取理論光譜的方法、形貌參數測量方法及裝置在說明書摘要公布了：本發明涉及一種獲取理論光譜的方法、形貌參數測量方法及裝置。周期性結構包括若干周期單元，該方法包括：沿周期性結構底部到頂部的方向Z，將所述形貌模型劃分出多個片層；基于每個所述片層在所述方向Z的介質分布，獲取相應片層介電系數沿周期方向的連續函數；然后計算每個所述片層的介電系數的傅里葉系數；最后利用嚴格耦合波分析算法，計算得到周期性結構的理論光譜。本發明避免了對模型劃分的片層側面輪廓的近似，使得RCWA計算中形貌模型的處理更加貼合樣品實際形貌模型，得到了每個片層的介電系數的連續函數，提高了介電系數的傅里葉系數計算精度，提高了理論光譜計算精度和計算效率。
本發明授權一種獲取理論光譜的方法、形貌參數測量方法及裝置在權利要求書中公布了：1.一種獲取理論光譜的方法，用于周期性結構理論光譜的獲取，所述周期性結構包括若干周期單元，其特征在于，包括： 獲取所述周期單元的形貌模型，所述形貌模型具有多個形貌參數； 沿周期性結構底部到頂部的方向Z，將所述形貌模型劃分出多個片層； 基于每個所述片層在所述方向Z的介質分布，獲取相應片層介電系數沿周期方向的連續函數； 基于所述連續函數，分別計算每個所述片層的介電系數的傅里葉系數； 根據所有片層的介電系數的傅里葉系數，利用嚴格耦合波分析算法，計算得到所述周期性結構的理論光譜； 所述片層介電系數沿周期方向的連續函數滿足： ， 其中，為任意片層j在沿所述周期方向上任意位置處的介電系數，為片層j在位置處的介質材料n的介電系數，為片層j在位置處的基于介質材料厚度獲取的介質材料n的權重，片層j在位置處包括種介質材料。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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