華南師范大學霍能杰獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)獲悉華南師范大學申請的專利一種基于二氧化鈦/氧化物/二維易氧化薄層的憶阻器及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN115411183B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202211052882.7，技術領域涉及：H10N70/20；該發(fā)明授權一種基于二氧化鈦/氧化物/二維易氧化薄層的憶阻器及其制備方法是由霍能杰;潘志東;李京波設計研發(fā)完成，并于2022-08-30向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本一種基于二氧化鈦/氧化物/二維易氧化薄層的憶阻器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種基于二氧化鈦氧化錫二維易氧化薄層的憶阻器及其制備方法，其包括，選用機械剝離法將二維易氧化薄層轉移至基底上；在二維易氧化薄層的兩端沉積第一電極和第二電極；在空氣中加熱基底，二維易氧化薄層的表面形成具有穩(wěn)定的阻變行為的氧化物薄層；在氧化物薄層上沉積金屬Ti薄層；在空氣中加熱基底，金屬Ti薄層氧化形成TiO2薄層；在TiO2薄層上沉積第三電極。該憶阻器結合了氧化物薄層表現(xiàn)出的穩(wěn)定的阻變行為特點，結合利用二氧化鈦與氧化物薄層中氧空位濃度的不同的特點，憶阻行為表現(xiàn)出具有空間電場方向依賴性，呈現(xiàn)出了低功耗、高電阻比、高穩(wěn)定性和易制備的優(yōu)點。
本發(fā)明授權一種基于二氧化鈦/氧化物/二維易氧化薄層的憶阻器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于二氧化鈦氧化物二維易氧化薄層的憶阻器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 選用機械剝離法，將SnSe2或BP二維易氧化薄層轉移至基底上； 在所述二維易氧化薄層的兩端沉積第一電極和第二電極； 在空氣中加熱所述基底，所述二維易氧化薄層的表面形成具有穩(wěn)定的阻變行為的SnO2或POx氧化物薄層； 在所述氧化物薄層上沉積金屬Ti薄層； 在空氣中加熱所述基底，所述金屬Ti薄層氧化形成TiO2薄層； 在所述TiO2薄層上沉積第三電極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人華南師范大學，其通訊地址為：510630 廣東省廣州市天河區(qū)中山大道西55號華南師范大學；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
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