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龍圖騰網(wǎng)獲悉揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司申請的專利一種基于UIS的SiC芯片測試方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115389897B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211067058.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R31/26；該發(fā)明授權(quán)一種基于UIS的SiC芯片測試方法是由陳鴻駿;楊程;王毅;趙耀;劉圣前;萬勝堂;王正設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-09-01向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種基于UIS的SiC芯片測試方法在說明書摘要公布了：一種基于UIS的SiC芯片測試方法。涉及一種半導(dǎo)體器件測試方法。包括以下步驟：S100，將待測的碳化硅功率器件進(jìn)行電性檢測，然后從電性檢測合格的產(chǎn)品中選取若干只碳化硅功率器件在常溫下分別進(jìn)行UIS極限能力測試，測試出相應(yīng)的UIS極限能力值，并計(jì)算平均UIS極限能力測試值，記作Emax；S200，第一次測試：將UIS極限能力測試的能量設(shè)置為Emax的25%?30%；S300，第二次測試：將UIS測試的能量設(shè)置為Emax的20%?25%，S400，第N?1次測試：將UIS測試的能量設(shè)置為Emax的5%，這一步可以將缺陷密度小于0.1cm?2，甚至更低的管芯篩選出來；S500，第N次測試：將UIS測試的能量設(shè)置為Emax的5%，最后一次復(fù)測，確保所有潛在風(fēng)險的管芯被提前激發(fā)出來；更加有效解決了SiC功率器件在可靠性端PPM級失效問題。

本發(fā)明授權(quán)一種基于UIS的SiC芯片測試方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于UIS的SiC芯片測試方法，其特征在于，包括以下步驟： S100，將待測的碳化硅功率器件進(jìn)行電性檢測，然后從電性檢測合格的產(chǎn)品中選取若干只碳化硅功率器件在常溫下分別進(jìn)行UIS極限能力測試，測試出相應(yīng)的UIS極限能力值，并計(jì)算平均UIS極限能力測試值，記作Emax； S200，第一次測試： 將UIS極限能力測試的能量設(shè)置為Emax的25%-30%；通過25%-30%EmaxUIS測試將碳化硅功率器件中外延中尺寸小于10微米TSD缺陷提前激發(fā)出，將外延層中TSD缺陷密度大于0.5cm-2的管芯篩選出；然而缺陷密度處于0.1-0.5cm-2范圍內(nèi)的管芯經(jīng)過這一次測試會受到損傷，使其承受UIS測試的能量降低； 電流大小小于10A的管芯測試電感L大小設(shè)定為5mH，電流大小大于10A的管芯測試電感大小設(shè)定10mH； S300，第二次測試： 將UIS測試的能量設(shè)置為Emax的20%-25%，將步驟S200中缺陷密度處于0.1-0.5cm-2范圍內(nèi)的管芯篩選出來； S400，第N-1次測試： 將UIS測試的能量設(shè)置為Emax的5%，這一步可以將缺陷密度小于0.1cm-2，甚至更低的管芯篩選出來； S500，第N次測試： 將UIS測試的能量設(shè)置為Emax的5%，最后一次復(fù)測，確保所有潛在風(fēng)險的管芯被提前激發(fā)出來。

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