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龍圖騰網(wǎng)獲悉華南理工大學;深圳市紐瑞芯科技有限公司申請的專利一種用于鎖相環(huán)的電荷泵獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN115498858B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202211304890.6，技術領域涉及：H02M1/088；該發(fā)明授權一種用于鎖相環(huán)的電荷泵是由賀小勇;鄧云天;陳振騏;陳潤;李斌;吳朝暉設計研發(fā)完成，并于2022-10-24向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種用于鎖相環(huán)的電荷泵在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種用于鎖相環(huán)的電荷泵，涉及新一代信息技術，針對現(xiàn)有技術中電荷泵功耗高的問題提出本方案。本發(fā)明技術是通過令平衡電路中傳輸門的控制信號超前于充放電支路中傳輸門的控制信號實現(xiàn)。進一步改善電流失配問題，還通過差分輸出運算放大器的正相輸出端控制充電支路及平衡電路的充電部分；通過所述差分輸出運算放大器的反相輸出端控制放電支路及平衡電路的放電部分。優(yōu)點在于，在信號周期大部分時間內(nèi)整個電路處于關閉狀態(tài)，節(jié)省功耗。還改善了電荷泵的輸出電流匹配性能。

本發(fā)明授權一種用于鎖相環(huán)的電荷泵在權利要求書中公布了：1.一種用于鎖相環(huán)的電荷泵，其特征在于，平衡電路中傳輸門的控制信號超前于充放電支路中傳輸門的控制信號； 平衡電路中傳輸門的控制信號和充放電支路中傳輸門的控制信號均為脈沖信號； 通過差分輸出運算放大器的正相輸出端控制充電支路及平衡電路的充電部分；通過所述差分輸出運算放大器的反相輸出端控制放電支路及平衡電路的放電部分； 包括偏置電路、匹配電路、充電支路、放電支路以及平衡電路； 所述的偏置電路用于分別輸出充電偏置電壓和放電偏置電壓； 所述的匹配電路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第一運算放大器、第五NMOS管和第四NMOS管；第四PMOS管源極連接VDD，第四PMOS管柵極連接充電偏置電壓，第四PMOS管漏極連接第五PMOS管源極；第五PMOS管柵極連接第一運算放大器正相輸出端，第五PMOS管漏極連接第一運算放大器正相輸入端及第五NMOS管漏極，第五NMOS管柵極連接第一運算放大器反相輸出端，第五NMOS管源極連接第四NMOS管漏極，第四NMOS管柵極連接放電偏置電壓，第四NMOS管源極接地； 所述的充電支路包括第一PMOS管、第一傳輸門和第二PMOS管；第一PMOS管源極連接VDD，第一PMOS管柵極連接充電偏置電壓，第一PMOS管漏極串接第一傳輸門后連接第二PMOS管源極，第二PMOS管柵極連接第一運算放大器正相輸出端，第二PMOS管漏極連接第一運算放大器反相輸入端，同時第二PMOS管漏接也為電荷泵的輸出端； 所述的放電支路包括第一NMOS管、第三傳輸門和第二NMOS管；第二NMOS管漏極連接第一運算放大器反相輸入端，第二NMOS管柵極連接第一運算放大器反相輸出端，第二NMOS管漏極串接第三傳輸門后連接第一NMOS管漏極，第一NMOS管柵極連接放電偏置電壓，第一NMOS管源極接地； 所述的平衡電路包括第二傳輸門、第三PMOS管、第二運算放大器、第三NMOS管和第四傳輸門；第三PMOS管源極串接第二傳輸門后連接第一PMOS管漏極，第三PMOS管柵極連接第一運算放大器正相輸出端，第三PMOS管漏極連接第二運算放大器輸出端，第二運算放大器正相輸入端連接第二PMOS管漏極，第二運算放大器反相輸入端與第二運算放大器輸出端共點后連接第三NMOS管漏極，第三NMOS管柵極連接第一運算放大器反相輸出端，第三NMOS管源極串接第四傳輸門后連接第一NMOS管漏極； 所述第一傳輸門由充電控制信號及其反相信號控制開關狀態(tài)，所述第二傳輸門由充電控制信號的超前信號及超前信號的反相信號控制開關狀態(tài)，所述第三傳輸門由放電控制信號及其反相信號控制開關狀態(tài)，所述第四傳輸門由放電控制信號的超前信號及超前信號的反相信號控制開關狀態(tài)。

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