中國科學院福建物質結構研究所趙三根獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院福建物質結構研究所申請的專利LiNH4SO4晶體在深紫外準相位匹配光學器件上的應用及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115826379B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211435541.8，技術領域涉及：G03G15/16；該發明授權LiNH4SO4晶體在深紫外準相位匹配光學器件上的應用及其制備方法是由趙三根;羅軍華;宋一鵬設計研發完成，并于2022-11-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本LiNH4SO4晶體在深紫外準相位匹配光學器件上的應用及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種LiNH4SO4準相位匹配晶體的光學器件的制備方法和用途。LiNH4SO4晶體在制備深紫外準相位匹配光學器件上的應用。LiNH4SO4準相位匹配晶體具有短的紫外吸收截止邊、適中的非線性光學效應、低折射率色散，物理化學性能穩定和機械性能好等優點，使得其能夠在深紫外準相位匹配光學器件上得到應用。
本發明授權LiNH4SO4晶體在深紫外準相位匹配光學器件上的應用及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種深紫外準相位匹配光學器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： （1）將LiNH4SO4晶體沿垂直于LiNH4SO4晶體b方向切割成薄片，將薄片的垂直于所述LiNH4SO4晶體b方向的兩個表面進行拋光出，之后在這兩個表面均勻涂覆銀漿，接著放入極化用樣品盒中； （2）然后將步驟（1）得到的晶體和極化用樣品盒一起升溫至140-150℃，并施加4-4.5kV的外加電壓，保持10-15min，完成晶片的單疇化； （3）然后將經步驟（2）的晶體表面的銀漿去除，并在這兩個表面鍍制厚度和材料一致的金屬膜，然后根據所述LiNH4SO4晶體的折射率色散方程計算得到的相干長度對其中的一面進行光刻，制備出相應的電極結構，形成極化所需的光柵電極； （4）然后利用高壓脈沖電源對晶片施加多次方波電場，完成周期極化，最后去除晶片表面的金屬膜，即得所述的準相位匹配光學器件。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院福建物質結構研究所，其通訊地址為：350002 福建省福州市鼓樓區楊橋西路155號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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