華南理工大學易翔獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華南理工大學申請的專利一種通過封裝技術增強增益的毫米波雙頻片上天線獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115939728B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211457594.X，技術領域涉及：H01Q1/22；該發明授權一種通過封裝技術增強增益的毫米波雙頻片上天線是由易翔;王艷軍;車文荃;薛泉設計研發完成，并于2022-11-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種通過封裝技術增強增益的毫米波雙頻片上天線在說明書摘要公布了：本發明公開了一種通過封裝技術增強增益的毫米波雙頻片上天線，包括封裝結構、芯片結構；所述封裝結構包括芯片結構的載體層、芯片包圍層，載體層和芯片包圍層之間通過粘結層連接；所述封裝結構的粘結層和芯片包圍層設有中間槽，所述芯片結構位于中間槽內。所述芯片結構包括自下而上的硅襯底、氧化層和鈍化層，在鈍化層上刻畫芯片天線。所述氧化層包括十層金屬層，芯片天線位于第十層金屬層中。本發明采用對稱的領結形結構，在不增加芯片面積下可使天線在兩個頻帶工作；封裝結構簡單，成本低。封裝保護芯片免受外界環境損壞和干擾，同時充當硅襯底與空氣兩種不同介質的匹配層，可有效將硅襯底中的電磁波耦合到外界，提升了天線的輻射性能。
本發明授權一種通過封裝技術增強增益的毫米波雙頻片上天線在權利要求書中公布了：1.一種通過封裝技術增強增益的毫米波雙頻片上天線，其特征在于，包括封裝結構（1）、芯片結構（2）；所述封裝結構（1）包括芯片結構（2）的載體層（5）、芯片包圍層（3），載體層（5）和芯片包圍層（3）之間通過粘結層（4）連接；所述封裝結構的粘結層（4）和芯片包圍層（3）設有中間槽，所述芯片結構（2）位于中間槽內； 所述芯片結構包括自下而上的硅襯底（12）、氧化層（11）和鈍化層（10），在鈍化層（10）上刻畫饋線； 所述氧化層（11）包括十層金屬層，芯片天線位于第十層金屬層中； 所述芯片天線為十字形結構，十字形結構中間設有開口； 所述芯片天線包括相互對稱的長臂和短臂，且長臂和短臂的激勵信號等幅同相，芯片天線相鄰的一個長臂和短臂通過金屬過孔與饋線（8）連接。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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