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龍圖騰網獲悉陜西亞成微電子股份有限公司申請的專利一種具有線性輸出特性的超結功率MOSFET結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116053296B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211740753.7，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種具有線性輸出特性的超結功率MOSFET結構及其制備方法是由苗東銘;楊世紅;余遠強;徐永年;李小紅設計研發完成，并于2022-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種具有線性輸出特性的超結功率MOSFET結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種具有線性輸出特性的超結功率MOSFET結構及其制備方法，用于解決傳統SJMOS器件結構輸出信號失真或產生多余諧波導致電源管理系統無法穩定輸出的技術問題。本發明在硅Drift區內設置有多個pillar區，其外側設置有保護環；多個pillar區上表面由下至上依次設置有Shield區和Base區，Shield區寬度大于Base區；Shield區和Base區兩側均設置有JFET區；Shield區和JFET區均呈倒梯度摻雜分布，且摻雜峰值濃度對應深度均位于Base區底部；Shield區摻雜濃度高于Base區，JFET區摻雜濃度高于硅Drift區；保護環上設置有表面保護環，Base區內設置有Source區和源電極接觸區；表面保護環上設置有場氧化層，JFET區上由下至上依次設置有柵氧化層、柵電極及注入屏蔽氧化層；源電極與源電極接觸區導通。

本發明授權一種具有線性輸出特性的超結功率MOSFET結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種具有線性輸出特性的超結功率MOSFET結構，其特征在于： 包括硅襯底1、位于硅襯底1上表面的硅Drift區2以及位于硅襯底1下表面的漏電極18； 所述硅Drift區2內設置有多個柱狀的pillar區3，用于形成有源區，多個pillar區3外側設置有保護環4，用于形成終端區； 多個所述pillar區3上表面由下至上依次設置有Shield區10和Base區11，Shield區10的寬度大于Base區11的寬度；Shield區10和Base區11的兩側均設置有JFET區6；所述Shield區10和JFET區6的摻雜濃度均呈倒梯度分布，且摻雜峰值濃度對應深度均位于Base區11的底部；Shield區10的摻雜濃度高于Base區11的摻雜濃度，JFET區6的摻雜濃度高于硅Drift區2的摻雜濃度； 所述保護環4上表面設置有表面保護環41；表面保護環41、JFET區6以及Base區11的上表面均與硅Drift區2上表面齊平； 所述Base區11內由外至內依次設置有Source區12和源電極接觸區15；所述Source區12和源電極接觸區15的上表面均與JFET區6上表面齊平； 所述表面保護環41上表面設置有場氧化層5，且場氧化層5與JFET區6上表面接觸；JFET區6上表面由下至上依次設置有柵氧化層7、柵電極8以及注入屏蔽氧化層9，且柵氧化層7與Base區11上表面接觸；所述場氧化層5和屏蔽氧化層9上表面設置有介質層，且介質層延伸至Source區12；所述介質層上設置有源電極16，源電極16與源電極接觸區15導通。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人陜西亞成微電子股份有限公司，其通訊地址為：710199 陜西省西安市高新區上林苑一路15號光子芯片硬科技企業社區6幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。