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龍圖騰網(wǎng)獲悉LG伊諾特有限公司申請的專利金屬材料OLED沉積掩模及沉積掩模的殘余應(yīng)力的測量方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116083843B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310109595.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C14/04；該發(fā)明授權(quán)金屬材料OLED沉積掩模及沉積掩模的殘余應(yīng)力的測量方法是由白智欽;金海植;曹榮得;李相侑;曹守鉉;孫曉源設(shè)計研發(fā)完成，并于2018-08-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本金屬材料OLED沉積掩模及沉積掩模的殘余應(yīng)力的測量方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及金屬材料OLED沉積掩模及沉積掩模的殘余應(yīng)力的測量方法。特別地，所述沉積掩模包括：沉積區(qū)域和非沉積區(qū)域，其中，所述沉積區(qū)域包括有效部分和非有效部分，其中，所述有效部分包括多個通孔，多個所述通孔包括從一個表面沿深度方向的小表面孔和從與所述一個表面相反的另一表面沿深度方向與所述小表面孔連通的大表面孔、以及在所述另一表面上位于多個所述大表面孔之間的島狀部分，并且其中，所述非沉積區(qū)域包括第一凹槽部分，所述第一凹槽部分包括沿所述沉積掩模的深度方向的凹槽。

本發(fā)明授權(quán)金屬材料OLED沉積掩模及沉積掩模的殘余應(yīng)力的測量方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種金屬材料OLED沉積掩模，所述沉積掩模包括： 沉積區(qū)域和非沉積區(qū)域， 其中，所述沉積區(qū)域包括有效部分和非有效部分， 其中，所述有效部分包括多個通孔，多個所述通孔包括從一個表面沿深度方向的小表面孔和從與所述一個表面相反的另一表面沿深度方向與所述小表面孔連通的大表面孔、所述小表面孔與所述大表面孔連通的連通部分、以及在所述另一表面上位于多個所述大表面孔之間的島狀部分，并且 其中，所述大表面孔包括彼此相鄰的第二蝕刻表面和第三蝕刻表面， 其中，所述第二蝕刻表面的橫截面傾斜角與所述第三蝕刻表面的橫截面傾斜角不同， 其中，所述有效部分包括第一肋，所述第一肋設(shè)置在沿所述沉積掩模的側(cè)向方向間隔開的多個所述大表面孔之間；和 第二肋，所述第二肋設(shè)置在沿所述沉積掩模的與所述側(cè)向方向垂直的縱向方向彼此間隔開的多個大表面孔之間，并且 其中，所述第一肋的中心的厚度不同于所述第二肋的中心的厚度，并且 其中，形成在所述第一肋的中央部分上的第一小表面孔在所述側(cè)向方向上從所述一個表面至所述連通部分的高度不同于形成在所述第二肋的中央部分上的第二小表面孔在所述縱向方向上從所述一個表面至所述連通部分的高度。

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