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龍圖騰網(wǎng)獲悉達波科技(上海)有限公司申請的專利一種晶圓鍵合方法及其在復(fù)合襯底制備中應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120076698B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510278119.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N30/03；該發(fā)明授權(quán)一種晶圓鍵合方法及其在復(fù)合襯底制備中應(yīng)用是由薛成龍;柏文文;王含冠;劉培森;肖博遠;周鑫辰;高嘉駿;楊凱;楊朋輝;華千慧;國洪辰;崔健設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-03-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種晶圓鍵合方法及其在復(fù)合襯底制備中應(yīng)用在說明書摘要公布了：本申請涉及一種晶圓鍵合方法及其在復(fù)合襯底制備中應(yīng)用，屬于復(fù)合襯底的加工技術(shù)領(lǐng)域。本申請晶圓鍵合方法包括：1）將壓電晶圓進行離子注入，得到晶圓注入片，晶圓注入片依次包括薄膜層、注入層和余質(zhì)層；2）將晶圓注入片的薄膜層與支撐襯底進行分隔處理，并使晶圓注入片的第一鍵合面和支撐襯底的第二鍵合面相對設(shè)置且對準，同時對晶圓注入片和支撐襯底進行第一次加熱，相互靠近并進行鍵合處理；3）對第一鍵合面和第二鍵合面施加第一壓力，并保持一段時間；4）將第一壓力降至第二壓力，并進行第二次加熱；5）進行第三次加熱，并保溫一段時間以使薄膜層與余質(zhì)層分離，得到復(fù)合襯底。本方法能提高復(fù)合襯底品質(zhì)和良率，翹曲低、孔洞數(shù)量少。

本發(fā)明授權(quán)一種晶圓鍵合方法及其在復(fù)合襯底制備中應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種晶圓鍵合方法，其特征在于，所述晶圓鍵合方法包括如下步驟： 1準備壓電晶圓和支撐襯底； 2將壓電晶圓進行離子注入，得到晶圓注入片，晶圓注入片依次包括薄膜層、注入層和余質(zhì)層； 3將晶圓注入片的薄膜層與支撐襯底進行分隔處理，并使晶圓注入片的第一鍵合面和支撐襯底的第二鍵合面相對設(shè)置且對準，同時對晶圓注入片和支撐襯底進行第一次加熱，第一次加熱至65～75℃，相互靠近并進行鍵合處理； 4對第一鍵合面和第二鍵合面施加第一壓力，第一壓力范圍為4000～6000N，并保持一段時間； 5將第一壓力降至第二壓力，第二壓力范圍為1500～2500N，并進行第二次加熱，第二次加熱溫度240～280℃，并保持20～40min； 6進行第三次加熱，第三次加熱溫度160～200℃，并保溫1.5～3h以使薄膜層與余質(zhì)層分離，得到復(fù)合襯底。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人達波科技(上海)有限公司，其通訊地址為：201309 上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)江山路3699號5幢1層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。