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龍圖騰網獲悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導體器件的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120129298B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510603588.8，技術領域涉及：H10D84/01；該發明授權半導體器件的制備方法是由張曉玲;宋玉濤;曾群凱設計研發完成，并于2025-05-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件的制備方法在說明書摘要公布了：本申請提供了一種半導體器件的制備方法，屬于半導體技術領域，在襯底的第一器件區和第二器件區上形成第一柵極結構和第二柵極結構；在襯底、第一柵極結構及第二柵極結構上形成第一應力緩沖層；在第二器件區的第一應力緩沖層上形成第一圖形化的光刻膠層，并對第一柵極結構兩側的襯底進行離子注入；去除第一圖形化的光刻膠層；在第一器件區的第一應力緩沖層上形成第二圖形化的光刻膠層，并對第二柵極結構兩側的襯底進行離子注入；去除第二圖形化的光刻膠層。第一應力緩沖層可以隔絕第一柵極結構及第二柵極結構表面的堿性基團，避免第一圖形化的光刻膠層和第二圖形化的光刻膠層產生站腳和底切問題，且不會增加工藝的復雜程度。

本發明授權半導體器件的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括： 提供襯底，所述襯底上具有第一器件區和第二器件區； 在所述襯底上形成第一柵極結構和第二柵極結構，所述第一柵極結構和所述第二柵極結構分別位于所述第一器件區和所述第二器件區，所述第一柵極結構和所述第二柵極結構均包括柵極側墻，所述柵極側墻的最外層的材料為氮化物； 在所述襯底、所述第一柵極結構及所述第二柵極結構上形成第一應力緩沖層； 在所述第二器件區的所述第一應力緩沖層上形成第一圖形化的光刻膠層，并對所述第一柵極結構兩側的所述襯底進行離子注入； 去除所述第一圖形化的光刻膠層； 在所述第一器件區的所述第一應力緩沖層上形成第二圖形化的光刻膠層，并對所述第二柵極結構兩側的所述襯底進行離子注入，在對所述第二圖形化的光刻膠層進行曝光顯影時，所述第一應力緩沖層的表面穩定沒有斷鍵；以及， 去除所述第二圖形化的光刻膠層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區科創十三街29號院一區2號樓13層1302-C54；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。