長鑫芯瑞存儲技術(北京)有限公司李宗翰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫芯瑞存儲技術(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120166698B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510645207.2，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體結構及其制造方法是由李宗翰;趙昭設計研發完成，并于2025-05-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開實施例提供了一種半導體結構及其制造方法，其中，半導體結構包括：襯底，以及位于襯底上的多個有源柱，多個有源柱排列成多個沿第一方向延伸的有源柱行和多個沿第二方向延伸的有源柱列；其中，多個有源柱列包括沿第一方向間隔排布的多個有源柱組，每一有源柱組包括沿第一方向相鄰排布的兩個有源柱列；第一方向和第二方向交叉且均平行于襯底的表面；多個埋入式位線，位于有源柱組中相鄰的兩個有源柱列之間，并和與其相鄰的兩個有源柱列中的每個有源柱電連接，且相鄰的兩個埋入式位線由相鄰的兩個有源柱組中的分屬于不同有源柱組的相鄰兩個有源柱列間隔開。
本發明授權半導體結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底，以及位于所述襯底上的多個有源柱，多個所述有源柱排列成多個沿第一方向延伸的有源柱行和多個沿第二方向延伸的有源柱列；其中，多個所述有源柱列包括沿所述第一方向間隔排布的多個有源柱組，每一所述有源柱組包括沿所述第一方向相鄰排布的兩個所述有源柱列；所述第一方向和所述第二方向交叉且均平行于所述襯底的表面； 多個埋入式位線，位于所述有源柱組中相鄰的兩個所述有源柱列之間，并和與其相鄰的兩個所述有源柱列中的每個有源柱電連接，且相鄰的兩個所述埋入式位線由相鄰的兩個所述有源柱組中的分屬于不同有源柱組的相鄰兩個有源柱列間隔開； 多個位線接觸部，所述位線接觸部至少部分側向嵌入沿所述第一方向位于所述埋入式位線兩側的所述有源柱內； 摻雜層，至少部分位于所述有源柱內并至少圍繞所述位線接觸部與所述有源柱的接觸面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫芯瑞存儲技術(北京)有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區景園北街2號52幢5層501-10；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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