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龍圖騰網獲悉大連海事大學申請的專利一種串聯SiC MOSFET短路瞬態過壓過流抑制電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120184883B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510660908.3，技術領域涉及：H02H9/02；該發明授權一種串聯SiC MOSFET短路瞬態過壓過流抑制電路是由周野;庹玉龍;薛征宇;史鵬飛設計研發完成，并于2025-05-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種串聯SiC MOSFET短路瞬態過壓過流抑制電路在說明書摘要公布了：本發明公開了一種串聯SiCMOSFET短路瞬態過壓過流抑制電路，屬于電力電子技術領域，包括：n個短路保護子電路，短路保護子電路包括：短路檢測電路，用于對SiCMOSFET是否發生短路進行檢測；過流抑制電路，用于對當所述短路檢測電路檢測到SiCMOSFET發生短路時，降低發生短路的SiCMOSFET的G極、S極間電壓，同時根據與發生短路的SiCMOSFET相鄰的SiCMOSFET分壓狀態，進一步降低發生短路的SiCMOSFET的G極、S極間電壓以平衡短路瞬態電壓分配；過壓抑制電路，在發生短路的SiCMOSFET承壓超過所有串聯SiCMOSFET平均電壓值時激活，抑制發生短路的SiCMOSFET的D極、S極間電壓上升速率，實現過壓抑制。本發明可集成于傳統串聯SiCMOSFET驅動電路中作為短路保護的附加電路，延長各串聯SiCMOSFET短路耐受時間，提升可靠性。

本發明授權一種串聯SiC MOSFET短路瞬態過壓過流抑制電路在權利要求書中公布了：1.一種串聯SiCMOSFET短路瞬態過壓過流抑制電路，其特征在于：包括： n個短路保護子電路， n個短路保護子電路分別與n個串聯順序連接的SiCMOSFET一一對應連接，其中n≥2；所述短路保護子電路包括： 短路檢測電路，用于對SiCMOSFET是否發生短路進行檢測； 過流抑制電路，用于對當所述短路檢測電路檢測到SiCMOSFET發生短路時，降低發生短路的SiCMOSFET的G極、S極間電壓，同時根據與發生短路的SiCMOSFET相鄰的SiCMOSFET分壓狀態，進一步降低發生短路的SiCMOSFET的G極、S極間電壓以平衡短路瞬態電壓分配； 過壓抑制電路，在發生短路的SiCMOSFET承壓超過所有串聯SiCMOSFET平均電壓值時激活，抑制發生短路的SiCMOSFET的D極、S極間電壓上升速率，實現過壓抑制； 所述過流抑制電路包括門極驅動電阻RG、第一二極管DA、第一N溝道MOSFETQA、第二N溝道MOSFETQB、第一電阻RA、第三電阻RC； 當短路保護子電路開通第一N溝道MOSFETQA時，門極驅動電阻RG與第一電阻RA組成分壓電路快速降低發生短路的SiCMOSFET的G極、S極間電壓以抑制短路電流；同時，第二N溝道MOSFETQB關斷將第三電阻RC串入驅動回路中，當與發生短路的SiCMOSFET相鄰的下一個串聯的SiCMOSFET過壓時，第三電阻RC上的壓降將進一步降低發生短路的SiCMOSFET的G極、S極間電壓，提升自身導通電阻以均衡電壓分配； 第一二極管DA用于在SiCMOSFET關斷期間將過流抑制電路與驅動電路分隔； 所述過壓抑制電路包括緩沖電容CB、第二二極管DB、瞬態抑制二極管Ztop以及第三二極管DC； 所述第三二極管DC與發生短路的SiCMOSFET相鄰的下一個串聯SiCMOSFET的過壓抑制電路相連接； 其中，緩沖電容CB在子SiCMOSFET承壓超過串聯SiCMOSFET單元的平均D極、S極間電壓時，通過第二二極管DB充電以降低電壓上升速度，瞬態抑制二極管Ztop在發生短路的SiCMOSFET的D極、S極間電壓超過瞬態抑制二極管Ztop鉗位電壓時反向擊穿，鉗位對應的SiCMOSFET的D極、S極間電壓以避免該發生短路的SiCMOSFET過壓擊穿，第三二極管DC在發生短路的SiCMOSFET正常開通期間，將存儲的過壓能量釋放至其它串聯SiCMOSFET的緩沖電容。

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