晶科能源(海寧)有限公司陳超獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉晶科能源(海寧)有限公司申請的專利太陽能電池的制備方法及太陽能電池獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120201812B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510681524.X，技術領域涉及：H10F71/10；該發明授權太陽能電池的制備方法及太陽能電池是由陳超;冉超;苗勁飛;周靜;邱彥凱設計研發完成，并于2025-05-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本太陽能電池的制備方法及太陽能電池在說明書摘要公布了：本發明涉及光伏電池技術領域，提供了一種太陽能電池的制備方法及太陽能電池。太陽能電池的制備方法包括：提供硅基體，硅基體具有第一表面，第一表面包括多個間隔設置的第一區域以及位于相鄰兩個第一區域之間的第二區域；在第二區域上形成硅氧介質層；在第一表面上順序形成隧穿氧化層和摻雜多晶硅層，隧穿氧化層覆蓋第一區域和硅氧介質層，摻雜多晶硅層覆蓋隧穿氧化層；對摻雜多晶硅層和隧穿氧化層進行圖形化，以選擇性去除第二區域上的摻雜多晶硅層和隧穿氧化層。通過本申請，解決了采用局部接觸技術的高效電池的鈍化效果較差的問題。
本發明授權太陽能電池的制備方法及太陽能電池在權利要求書中公布了：1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述太陽能電池的制備方法包括： 提供硅基體，所述硅基體具有第一表面，所述第一表面包括多個間隔設置的第一區域以及位于相鄰兩個第一區域之間的第二區域； 在所述第二區域上形成硅氧介質層； 在所述第一表面上順序形成隧穿氧化層和摻雜多晶硅層，所述隧穿氧化層覆蓋所述第一區域和所述硅氧介質層，所述摻雜多晶硅層覆蓋所述隧穿氧化層； 對所述摻雜多晶硅層和所述隧穿氧化層進行圖形化，以選擇性地去除所述第二區域上的摻雜多晶硅層和隧穿氧化層； 在所述第二區域上形成硅氧介質層的步驟包括： 對所述第二區域進行第一激光處理，以使所述硅基體中位于所述第二區域的硅與空氣進行反應并形成所述硅氧介質層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶科能源(海寧)有限公司，其通訊地址為：314000 浙江省嘉興市海寧市黃灣鎮安江路118號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
以上內容由AI智能生成
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號