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龍圖騰網獲悉深圳平湖實驗室申請的專利半導體器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120224711B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510702314.4，技術領域涉及：H10D12/00；該發明授權半導體器件及其制備方法是由夏云;陳剛;段元淼;劉瑋;支海朝設計研發完成，并于2025-05-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種半導體器件及其制備方法，涉及半導體技術領域，旨在解決溝槽型半導體器件的可靠性問題。半導體器件包括集電區、漂移區、發射區、柵介質層、柵極區以及第一屏蔽部，漂移區設于集電區之上，漂移區遠離集電區的表面設有第一凹槽，發射區設于漂移區遠離集電區的一側，柵介質層設于第一凹槽的底面和側壁面，柵極區設于第一凹槽內，且被柵介質層包覆，第一屏蔽部設于第一凹槽的底部，且與柵介質層接觸，其中，漂移區包括層疊設置的第一子漂移區及第二子漂移區，第二子漂移區位于第一子漂移區遠離集電區的一側，且第一子漂移區和第二子漂移區的摻雜類型不同，第一屏蔽部與第二子漂移區接觸。

本發明授權半導體器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括： 集電區； 漂移區，設于所述集電區之上，所述漂移區遠離所述集電區的表面設有第一凹槽； 發射區，設于所述漂移區遠離所述集電區的一側； 柵介質層，設于所述第一凹槽的底面和側壁面； 柵極區，設于所述第一凹槽內，且被所述柵介質層包覆； 第一屏蔽部，設于所述第一凹槽的底部，且與所述柵介質層接觸； 其中，所述漂移區包括層疊設置的第一子漂移區及第二子漂移區，所述第二子漂移區位于所述第一子漂移區遠離所述集電區的一側，且所述第一子漂移區和所述第二子漂移區的摻雜類型不同；所述第一屏蔽部與所述第二子漂移區接觸； 所述半導體器件還包括： 第二凹槽，設于所述漂移區遠離所述集電區的表面，所述第二凹槽和所述第一凹槽分別位于所述發射區的兩側； 發射區介質層，設于所述第二凹槽的底面和側壁面； 發射區導體，設于所述第二凹槽內，且被所述發射區介質層包覆； 第二屏蔽部，設于所述第二凹槽的底部，且與所述發射區介質層接觸；所述第二屏蔽部還與所述第二子漂移區接觸； 所述第一屏蔽部包括：載流子存儲層，所述柵介質層的底部位于所述載流子存儲層內，所述載流子存儲層和所述第二子漂移區的摻雜類型不同。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳平湖實驗室，其通訊地址為：518116 廣東省深圳市龍崗區平湖街道中科億方智匯產業園12棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。