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龍圖騰網(wǎng)獲悉中材高新氮化物陶瓷有限公司申請的專利一種氮化硅陶瓷及其制備方法與應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120329055B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510822160.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C04B35/593；該發(fā)明授權(quán)一種氮化硅陶瓷及其制備方法與應(yīng)用是由孫峰;李智;尚超峰;王再義;姜自飛;楊凱寧;任冰潔;趙麗萍;王路;魏瑋;王建軍;史紀(jì)峰;李亞茹設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-06-19向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種氮化硅陶瓷及其制備方法與應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于氮化硅陶瓷技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種氮化硅陶瓷及其制備方法與應(yīng)用。制備方法包括如下步驟：S1，將α?Si3N4、硅粉、燒結(jié)助劑、分散劑、溶劑混合進(jìn)行第一球磨，得到漿料A；S2，將漿料A、粘結(jié)劑和增塑劑混合進(jìn)行第二球磨，得到漿料B；S3，將漿料B流延成型，燒結(jié)，降溫，得到氮化硅陶瓷；燒結(jié)助劑包括氮化硅鎂和稀土氧化物；以5?30℃min的速率升溫到1100?1300℃進(jìn)行第一燒結(jié)1?6h，以0.1?10℃min的速率升溫到1400?1450℃進(jìn)行第二燒結(jié)2?5h，以3?20℃min的速率升溫到1750?1950℃進(jìn)行第三燒結(jié)3?8h；制得的氮化硅陶瓷致密度高、兼顧導(dǎo)熱性能與力學(xué)性能。

本發(fā)明授權(quán)一種氮化硅陶瓷及其制備方法與應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種氮化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟： S1，將α-Si3N4、硅粉、燒結(jié)助劑、分散劑、溶劑混合，進(jìn)行第一次球磨，得到漿料A； S2，將漿料A、粘結(jié)劑和增塑劑混合，進(jìn)行第二次球磨，得到漿料B； S3，將漿料B流延成型，燒結(jié)，降溫，得到氮化硅陶瓷； 其中，所述燒結(jié)助劑包括氮化硅鎂和稀土氧化物； 所述α-Si3N4、硅粉、燒結(jié)助劑、分散劑和溶劑的質(zhì)量比為100:60-75:10-18:0.5-5:80-200； 所述燒結(jié)的條件包括：以5-30℃min的速率升溫到1100-1300℃進(jìn)行第一燒結(jié)1-6h，以0.1-10℃min的速率升溫到1400-1450℃進(jìn)行第二燒結(jié)2-5h，以3-20℃min的速率升溫到1750-1950℃進(jìn)行第三燒結(jié)3-8h。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中材高新氮化物陶瓷有限公司，其通訊地址為：255000 山東省淄博市高新區(qū)四寶山街道裕民路122號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。