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          寧波大學;浙江宇視科技有限公司姜求平獲國家專利權

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          龍圖騰網獲悉寧波大學;浙江宇視科技有限公司申請的專利極端環境下提升CMOS圖像傳感器動態范圍的開關電路獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120454700B

          龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510965900.8,技術領域涉及:H03K17/687;該發明授權極端環境下提升CMOS圖像傳感器動態范圍的開關電路是由姜求平;李聰廷;任文琦;李翔宇;吳彬彬;鄧黃燕設計研發完成,并于2025-07-14向國家知識產權局提交的專利申請。

          極端環境下提升CMOS圖像傳感器動態范圍的開關電路在說明書摘要公布了:本發明公開了一種極端環境下提升CMOS圖像傳感器動態范圍的開關電路,包括采樣管、自舉電容、控制模塊、反相器、寄生電容釋放模塊、全差分模塊以及采樣通路開關模塊,采樣管為NMOS管,其源極為開關電路的輸入端,漏極為開關電路的輸出端,柵極與控制模塊連接,受自舉電容的充電電壓控制,反相器對時鐘信號進行反相后引入控制模塊,使控制模塊的工作時序受到互補的一對時鐘信號控制,寄生電容釋放模塊在開關電路采樣完成后導通,以釋放采樣管的柵極電荷,全差分模塊為開關電路引入另一個輸入端,使開關電路形成全差分輸入結構,采樣通路開關模塊使輸入信號通向開關電路的輸出端這條路徑形成低阻導通路徑;優點是線性度較高,開關速度快。

          本發明授權極端環境下提升CMOS圖像傳感器動態范圍的開關電路在權利要求書中公布了:1.一種極端環境下提升CMOS圖像傳感器動態范圍的開關電路,在時鐘信號CLK1控制下實現導通狀態和關閉狀態的切換,其包括采樣管、用于存儲采樣管的柵極驅動電壓的自舉電容以及用于控制自舉電容充放電路徑的控制模塊,采樣管為NMOS管,其源極為開關電路的輸入端,漏極為開關電路的輸出端,柵極與控制模塊連接,受自舉電容的充電電壓控制,其特征在于還包括反相器、寄生電容釋放模塊、全差分模塊以及采樣通路開關模塊;反相器的輸入端接入時鐘信號CLK1,用于對時鐘信號CLK1進行反相后引入控制模塊,使控制模塊的工作時序受到互補的一對時鐘信號控制;寄生電容釋放模塊用于在開關電路采樣完成后導通,以釋放采樣管的柵極電荷;全差分模塊用于為開關電路引入除采樣管的源極之外的另一個輸入端,使開關電路形成全差分輸入結構;采樣通路開關模塊用于使輸入信號通向開關電路的輸出端這條路徑形成低阻導通路徑;控制模塊包括第一MOS管至第九MOS管;第一MOS管、第二MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第八MOS管均為NMOS管,第三MOS管、第四MOS管、第七MOS管和第九MOS管均為PMOS管;第一MOS管、第三MOS管和第九MOS管的柵極、第四MOS管和第五MOS管的漏極均與采樣管的柵極連接,第一MOS管的源極與采樣管的源極連接,第一MOS管、第二MOS管和第九MOS管的漏極、第八MOS管的源極均與自舉電容的一端連接,第二MOS管的柵極與反相器的輸出端連接,第二MOS管的源極接地,第三MOS管和第四MOS管的源極均與自舉電容的另一端連接,第三MOS管的漏極、第七MOS管的源極和第五MOS管的柵極均接入電源電壓VDD,第四MOS管的柵極、第九MOS管的源極、第七MOS管和第八MOS管的漏極連接,第五MOS管的源極和第六MOS管的漏極連接,第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管的柵極接入時鐘信號CLK1,第六MOS管的源極連接地;寄生電容釋放模塊包括第十MOS管,第十MOS管為PMOS管,第十MOS管的柵極接入時鐘信號CLK1,源極接入電源電壓VDD,漏極與第六MOS管的漏極和第五MOS管的源極的連接端連接;采樣通路開關模塊包括第十一MOS管與第十二MOS管,第十一MOS管為NMOS管,第十二MOS管為PMOS管,第十一MOS管的柵極和第十二MOS管的柵極均接入時鐘信號CLK1,第十一MOS管的源極、第十二MOS管的漏極與第一MOS管、第二MOS管和第九MOS管的漏極、第八MOS管的源極以及自舉電容的一端的連接端連接,第十一MOS管的漏極與采樣管的柵極連接,第十二MOS管的源極與采樣管的源極連接。

          如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人寧波大學;浙江宇視科技有限公司,其通訊地址為:315211 浙江省寧波市江北區風華路818號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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