江西理工大學;韓亞半導體材料(貴溪)有限公司熊仕顯獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰,真高效! 查專利查商標用IPTOP,全免費!專利年費監控用IP管家,真方便!
龍圖騰網獲悉江西理工大學;韓亞半導體材料(貴溪)有限公司申請的專利一種電子級鏤空結構氧化銅及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120483232B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510969472.6,技術領域涉及:C01G3/02;該發明授權一種電子級鏤空結構氧化銅及其制備方法是由熊仕顯;劉傳龍;嚴浩東;曹磊;徐一特;李明茂;陳亮設計研發完成,并于2025-07-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種電子級鏤空結構氧化銅及其制備方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種電子級鏤空結構氧化銅及其制備方法,屬于氧化銅制備領域。該方法包括:銅鹽與乙二胺四乙酸、輔助絡合劑混合進行陳化絡合獲得絡合液;絡合液分段滴加沉淀劑梯度沉淀;依次進行離心、洗滌、干燥、煅燒。輔助絡合劑采用有機羧酸銨鹽;梯度沉淀中第一階段滴加時溫度為40℃~45℃,滴加至pH=5.0~5.5結束;第二階段滴加時升溫至55℃~60℃,滴加至pH=6.5~7.0結束;第三階段滴加時升溫至70℃~75℃,滴加至pH=7.5~8.0結束。本發明采用乙二胺四乙酸與有機羧酸銨鹽的雙體系絡合銅離子,通過分段控溫的梯度沉淀法實現前驅體自組裝,在無模板劑的情況下制得具有三維貫通孔道結構的氧化銅。
本發明授權一種電子級鏤空結構氧化銅及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種電子級鏤空結構氧化銅的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括如下步驟: 銅鹽溶液與絡合劑、輔助絡合劑按照預設比例混合進行陳化絡合,獲得絡合液; 在所述絡合液中分段滴加沉淀劑進行梯度沉淀; 依次進行離心、洗滌、干燥、煅燒,獲得電子級鏤空結構氧化銅; 所述絡合劑采用乙二胺四乙酸;所述輔助絡合劑采用有機羧酸銨鹽;所述沉淀劑采用碳酸氫銨溶液; 所述梯度沉淀分為三段式滴加,其條件控制為: 第一階段滴加時溫度為40℃~45℃,滴加至pH=5.0~5.5結束; 第二階段滴加時升溫至55℃~60℃,滴加至pH=6.5~7.0結束; 第三階段滴加時升溫至70℃~75℃,滴加至pH=7.5~8.0結束。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人江西理工大學;韓亞半導體材料(貴溪)有限公司,其通訊地址為:341000 江西省贛州市章貢區紅旗大道86號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息,力求客觀、公正,但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解,僅供參考使用,不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。