中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司王楠獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113972173B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010725853.7，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體結構及其形成方法是由王楠設計研發完成，并于2020-07-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明實施例提供一種半導體結構及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底的至少一個表層為半導體材料層；去除部分半導體材料層，形成多個并行的鰭部，其中，所述多個并行的鰭部包括至少一個隔離鰭部和至少一個有源鰭部；在所述隔離鰭部的上方形成支撐結構；形成與所述支撐結構和所述有源鰭部相交的柵極結構，其中，所述柵極結構頂面高于所述有源鰭部的頂面，低于或齊平于所述支撐結構的頂面；至少去除與所述柵極結構相交位置處的支撐結構，形成隔離溝槽；形成填充在所述隔離溝槽內的隔離結構，提高了器件的性能。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底的至少一個表層為半導體材料層； 去除部分半導體材料層，形成多個并行的鰭部，其中，所述多個并行的鰭部包括至少一個隔離鰭部和至少一個有源鰭部； 在所述隔離鰭部的上方形成支撐結構； 形成與所述支撐結構和所述有源鰭部相交的柵極結構，其中，所述柵極結構頂面高于所述有源鰭部的頂面，低于或齊平于所述支撐結構的頂面； 至少去除與所述柵極結構相交位置處的支撐結構，形成隔離溝槽； 形成填充在所述隔離溝槽內的隔離結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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