中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司王楠獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113972171B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010724655.9，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體結構及其形成方法是由王楠設計研發完成，并于2020-07-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底的至少一個表層為半導體材料層；去除部分半導體材料層，形成多個并行的鰭部，其中，所述多個并行的鰭部包括至少一個隔離鰭部和至少一個有源鰭部；在所述隔離鰭部的上方形成支撐結構；在所述支撐結構兩側的有源鰭部上形成摻雜結構；形成覆蓋所述摻雜結構的層間介質層，所述層間介質層的頂面暴露所述支撐結構；至少去除所述層間介質層之間的支撐結構，形成隔離溝槽；形成填充在所述隔離溝槽內的隔離結構，從而提高了器件的性能。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底的至少一個表層為半導體材料層； 去除部分半導體材料層，形成多個并行的鰭部，其中，所述多個并行的鰭部包括至少一個隔離鰭部和至少一個有源鰭部； 在所述隔離鰭部的上方形成支撐結構； 在所述支撐結構兩側的有源鰭部上形成摻雜結構； 形成覆蓋所述摻雜結構的層間介質層，所述層間介質層的頂面暴露所述支撐結構； 至少去除所述層間介質層之間的支撐結構，形成隔離溝槽； 形成填充在所述隔離溝槽內的隔離結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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