東京毅力科創株式會社青木裕介獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東京毅力科創株式會社申請的專利處理基板的方法、器件制造方法及等離子體處理裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112420507B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010794270.X，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權處理基板的方法、器件制造方法及等離子體處理裝置是由青木裕介;戶花敏勝;森北信也;中村諭設計研發完成，并于2020-08-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本處理基板的方法、器件制造方法及等離子體處理裝置在說明書摘要公布了：本發明公開一種處理基板的方法，其包括a向等離子體處理裝置的腔室內提供基板的工序。基板具有被圖案化的有機掩模。該方法還包括b在將基板容納于腔室內的狀態下，在腔室內由處理氣體生成等離子體的工序。該方法還包括c在生成等離子體的工序即b的執行中，向等離子體處理裝置的上部電極周期性地施加脈沖狀的負極性的直流電壓的工序。在施加脈沖狀的負極性的直流電壓的工序中，向上部電極供應源自等離子體的離子而將從上部電極釋放的含硅物質沉積到基板上。
本發明授權處理基板的方法、器件制造方法及等離子體處理裝置在權利要求書中公布了：1.一種處理基板的方法，其包括： a向等離子體處理裝置的腔室內提供具有被圖案化的有機掩模的基板的工序； b在將所述基板容納于所述腔室內的狀態下，在該腔室內由處理氣體生成等離子體的工序；及 c在所述b的執行中，從直流電源裝置向所述等離子體處理裝置的上部電極周期性地施加脈沖狀的負極性的直流電壓而向所述上部電極供應源自所述等離子體的離子，由此使從該上部電極釋放的含硅物質沉積到所述基板上的工序， 在一周期內對所述上部電極施加所述脈沖狀的負極性的直流電壓的時間所占的比例即占空比為0.2以上且0.5以下， 將所述脈沖狀的負極性的直流電壓施加到所述上部電極的周期的倒數即頻率為400kHz以上且1MHz以下， 將所述脈沖狀的負極性的直流電壓施加到所述上部電極的周期的倒數即頻率比用于生成所述等離子體的高頻電力的頻率低。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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