買(mǎi)專(zhuān)利賣(mài)專(zhuān)利找龍圖騰，真高效！ 查專(zhuān)利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專(zhuān)利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉務(wù)實(shí)印刷有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利用于集成電路的電阻器獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114556603B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202080071849.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N97/00；該發(fā)明授權(quán)用于集成電路的電阻器是由理查德·普賴(lài)斯設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-08-19向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本用于集成電路的電阻器在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：提供了一種薄膜集成電路，該薄膜集成電路包括第一半導(dǎo)體器件、第二半導(dǎo)體器件、第一電阻器和第二電阻器。第一半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體區(qū)域、第一電阻器的電阻器主體、第二半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體區(qū)域和第二電阻器的電阻器主體由第一源材料和第二源材料中的至少一種形成，并且第一電阻器的電阻器主體的材料和第二電阻器的電阻器主體的材料具有不同的電氣特性。

本發(fā)明授權(quán)用于集成電路的電阻器在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種薄膜集成電路IC，所述薄膜集成電路IC包括第一半導(dǎo)體器件、第二半導(dǎo)體器件、第一電阻器和第二電阻器，其中，所述第一半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體區(qū)域、所述第一電阻器的電阻器主體、所述第二半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體區(qū)域，以及所述第二電阻器的電阻器主體由第一源材料和第二源材料中的至少一種的沉積層形成，并且其中，所述第一電阻器的所述電阻器主體的材料和所述第二電阻器的所述電阻器主體的材料具有不同的電氣特性，并且 其中，所述第一電阻器的所述電阻器主體和所述第一半導(dǎo)體器件的所述半導(dǎo)體區(qū)域被包括在所述第一源材料的單個(gè)沉積層中， 其中，所述第一半導(dǎo)體器件是薄膜晶體管TFT，并且所述第二半導(dǎo)體器件是肖特基二極管， 其中，所述第二電阻器的所述電阻器主體和所述肖特基二極管的半導(dǎo)體區(qū)域被包括在所述第二源材料的單個(gè)沉積層中， 其中，所述第一源材料和所述第二源材料不同，以及 其中，所述第一電阻器的所述電阻器主體的材料的電阻率和所述第二電阻器的所述電阻器主體的材料的電阻率之間存在至少一個(gè)數(shù)量級(jí)的差異。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類(lèi)似專(zhuān)利技術(shù)，可聯(lián)系本專(zhuān)利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人務(wù)實(shí)印刷有限公司，其通訊地址為：英國(guó)達(dá)勒姆；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話(huà)0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。