硅尼克斯股份有限公司S·哈瓦那獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉硅尼克斯股份有限公司申請的專利具有多個獨立柵極的半導體器件獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114556590B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202080072987.1,技術領域涉及:H10D30/60;該發明授權具有多個獨立柵極的半導體器件是由S·哈瓦那;M·艾曼·謝比卜設計研發完成,并于2020-09-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有多個獨立柵極的半導體器件在說明書摘要公布了:具有多個獨立柵極的半導體器件。一種柵極控制的半導體器件,包括:半導體器件的第一多個單元,所述第一多個單元被配置為由主柵極來控制;以及半導體器件的第二多個單元,所述第二多個單元被配置為由輔助柵極來控制。主柵極與輔助柵極是電隔離的,并且半導體器件的源極和漏極并聯電耦接。第一多個單元和第二多個單元在結構上可以基本相同。
本發明授權具有多個獨立柵極的半導體器件在權利要求書中公布了:1.一種柵極控制的半導體器件,包括: 所述半導體器件的第一多個單元,所述第一多個單元被配置為由主柵極來控制; 所述半導體器件的第二多個單元,所述第二多個單元被配置為由輔助柵極來控制, 其中所述主柵極與所述輔助柵極是電隔離的; 其中所述半導體器件的源極和漏極并聯電耦接,并且 其中所述輔助柵極經由電阻耦接到所述源極,并且所述主柵極未耦接到所述源極。
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