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龍圖騰網(wǎng)獲悉聯(lián)華電子股份有限公司申請(qǐng)的專利高電子遷移率晶體管及其制作方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114628511B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011457077.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/47；該發(fā)明授權(quán)高電子遷移率晶體管及其制作方法是由楊柏宇設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-11向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本高電子遷移率晶體管及其制作方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)一種高電子遷移率晶體管及其制作方法，其中該高電子遷移率晶體管包含一第一III?V族化合物層，一第二III?V族化合物層設(shè)置于第一III?V族化合物層上，第二III?V族化合物層的組成與第一III?V族化合物層不同，一第三III?V族化合物層設(shè)置于第二III?V族化合物層上，其中第一III?V族化合物層和第三III?V族化合物層由相同的第III族和第V族元素組成，第三III?V族化合物層包含一本體和多個(gè)指狀部位，其中各個(gè)指狀部位和本體相連，各個(gè)指狀部位彼此平行且彼此不接觸，一源極電極設(shè)置在本體的一側(cè)并且接觸第一III?V族化合物層，一漏極電極設(shè)置在本體的另一側(cè)并且接觸第一III?V族化合物層，一柵極電極設(shè)置在本體的正上方。

本發(fā)明授權(quán)高電子遷移率晶體管及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高電子遷移率晶體管，其特征在于，包含： 第一III-V族化合物層； 第二III-V族化合物層，設(shè)置于該第一III-V族化合物層上，該第二III-V族化合物層的組成與該第一III-V族化合物層不同； 第三III-V族化合物層，設(shè)置于該第二III-V族化合物層上，該第三III-V族化合物層包含一本體和多個(gè)指狀部位，其中該多個(gè)指狀部位和該本體相連，各該指狀部位彼此平行且彼此不接觸； 源極電極，設(shè)置在該本體的一側(cè)并且接觸該第一III-V族化合物層，其中該本體為具有P型摻質(zhì)的III-V族化合物層，并且該多個(gè)指狀部位為未摻雜的III-V族化合物層； 漏極電極，設(shè)置在該本體的另一側(cè)并且接觸該第一III-V族化合物層；以及 柵極電極，設(shè)置在該本體的正上方，其中該柵極電極不接觸該第二III-V族化合物層。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人聯(lián)華電子股份有限公司，其通訊地址為：中國(guó)臺(tái)灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。