東京毅力科創株式會社西出大亮獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東京毅力科創株式會社申請的專利基片處理方法和基片處理裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113035708B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011472515.3，技術領域涉及：H01L21/311；該發明授權基片處理方法和基片處理裝置是由西出大亮;勝沼隆幸設計研發完成，并于2020-12-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本基片處理方法和基片處理裝置在說明書摘要公布了：本發明提供一種基片處理方法和基片處理裝置。基片處理方法包括提供基片的步驟、形成保護膜的步驟和蝕刻的步驟。提供基片的步驟提供基片，該基片具有被蝕刻膜、形成于被蝕刻膜之上的第1掩模和以覆蓋第1掩模的至少一部分的方式形成的第2掩模。形成保護膜的步驟利用由第1氣體生成的等離子體，在第2掩模的側壁形成保護膜。蝕刻的步驟利用由第2氣體生成的等離子體，蝕刻被蝕刻膜。根據本發明，能夠抑制層疊的掩模的損耗。
本發明授權基片處理方法和基片處理裝置在權利要求書中公布了：1.一種基片處理方法，其特征在于，包括： 提供基片的步驟，其中所述基片具有被蝕刻膜、形成于所述被蝕刻膜之上且具有第1開口寬度的開口部的第1掩模和覆蓋所述第1掩模的一部分且具有比所述第1開口寬度大的第2開口寬度的開口部的第2掩模； 利用由第1氣體生成的等離子體，在所述第2掩模的側壁形成保護膜的步驟；和 利用由第2氣體生成的等離子體，蝕刻所述被蝕刻膜的步驟。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人東京毅力科創株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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