浙江馳拓科技有限公司何世坤獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江馳拓科技有限公司申請的專利一種磁性存儲單元及其的制備方法、磁性存儲器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114695648B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011584035.6，技術領域涉及：H10N50/10；該發明授權一種磁性存儲單元及其的制備方法、磁性存儲器是由何世坤;鄭澤杰;周亞星設計研發完成，并于2020-12-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種磁性存儲單元及其的制備方法、磁性存儲器在說明書摘要公布了：本發明公開了一種磁性存儲單元的制備方法，通過在預設的自旋軌道矩金屬基體前置物表面，向外依次設置磁性自由層、絕緣隧道層、磁性參考層及掩膜層，得到待刻蝕單元；對所述掩膜層、所述磁性參考層、所述絕緣隧道層及所述磁性自由層進行刻蝕，得到包括柱狀外延層的刻蝕工件；在所述刻蝕工件表面設置保護層；對設置保護層后的自旋軌道矩金屬基體前置物進行定向氧離子處理；對所述外圍氧化層進行表面還原；去除所述存儲單元預置物的掩膜層上方的保護層，得到磁性存儲單元。本發明避免了現有技術中直接生產目標厚度的自旋軌道矩金屬基體厚度均勻性差的問題。本發明同時還提供了一種具有上述有益效果的磁性存儲單元及磁性存儲器。
本發明授權一種磁性存儲單元及其的制備方法、磁性存儲器在權利要求書中公布了：1.一種磁性存儲單元的制備方法，其特征在于，包括： 在預設的自旋軌道矩金屬基體前置物表面，向外依次設置磁性自由層、絕緣隧道層、磁性參考層及掩膜層，得到待刻蝕單元； 對所述掩膜層、所述磁性參考層、所述絕緣隧道層及所述磁性自由層進行刻蝕，得到包括柱狀外延層的刻蝕工件； 在所述刻蝕工件表面設置保護層； 對設置保護層后的自旋軌道矩金屬基體前置物進行定向氧離子處理，使位于柱狀外圍區的自旋軌道矩金屬基體前置物氧化為外圍氧化層； 對所述外圍氧化層進行表面還原，使靠近所述柱狀外延層一側的目標厚度的外圍氧化層還原為自旋軌道矩金屬基體，得到存儲單元預置物； 去除所述存儲單元預置物的掩膜層上方的保護層，得到磁性存儲單元。
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