TCL科技集團股份有限公司王華民獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉TCL科技集團股份有限公司申請的專利一種薄膜、電致發光器件及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114695818B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202011630879.X,技術領域涉及:H10K71/13;該發明授權一種薄膜、電致發光器件及其制備方法是由王華民設計研發完成,并于2020-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種薄膜、電致發光器件及其制備方法在說明書摘要公布了:本發明公開一種薄膜、電致發光器件及其制備方法。所述薄膜的制備方法,包括步驟:提供具有像素坑的基板;通過溶液法將墨水轉移至基板上的像素坑內;對所述像素坑內的墨水施加超聲波,經干燥得到所述薄膜。本發明在墨水通過溶液法轉入像素坑后,在墨水揮發的過程中,向像素坑內的墨水施加超聲波,該超聲波具有一定的能量,可以使墨水內部的流動性加快,使得像素坑內各區域墨水在揮發過程中的濃度保持相對一致,從而提高形成的薄膜的均勻性。另外,超聲波具有的能量還能使墨水的內能提高,一定程度上增加了墨水的揮發速率,避免了墨水因毛細效應而產生的墨水濃度分布不均勻形成的薄膜不均勻的現象。
本發明授權一種薄膜、電致發光器件及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種薄膜的制備方法,其特征在于,包括步驟: 提供具有像素坑的基板; 通過溶液法將墨水轉移至基板上的像素坑內; 對所述像素坑內的墨水施加超聲波,經干燥得到所述薄膜; 所述對所述像素坑內的墨水施加超聲波的步驟,具體包括:對著像素坑的正上方,從上往下發射超聲波; 施加超聲波到預設時間后,逐漸減小超聲波的強度,直至超聲波的強度為零。
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