愛思開海力士有限公司徐鉉哲獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉愛思開海力士有限公司申請的專利半導體晶片及其分離方法、半導體芯片和半導體封裝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113921478B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110063272.6，技術領域涉及：H01L23/31；該發明授權半導體晶片及其分離方法、半導體芯片和半導體封裝是由徐鉉哲設計研發完成，并于2021-01-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體晶片及其分離方法、半導體芯片和半導體封裝在說明書摘要公布了：提供了半導體晶片及其分離方法、半導體芯片和半導體封裝。一種半導體晶片包括通過劃片道區域彼此隔開的第一芯片區域和第二芯片區域。該半導體晶片還包括設置在劃片道區域中的測試焊盤。該半導體晶片另外包括部分覆蓋第一芯片區域、第二芯片區域和劃片道區域的保護層，其中保護層覆蓋測試焊盤的與第一芯片區域相鄰的部分，并且暴露第一測試焊盤的剩余部分。
本發明授權半導體晶片及其分離方法、半導體芯片和半導體封裝在權利要求書中公布了：1.一種半導體晶片，所述半導體晶片包括： 第一芯片區域和第二芯片區域，所述第一芯片區域和所述第二芯片區域在第一方向上通過第一劃片道區域彼此隔開； 第一測試焊盤，所述第一測試焊盤設置在所述第一劃片道區域中；以及 保護層，所述保護層設置在所述第一芯片區域、所述第二芯片區域和所述第一劃片道區域上，并且部分覆蓋所述第一劃片道區域， 其中，所述保護層覆蓋所述第一測試焊盤的與所述第一芯片區域相鄰的部分，并且使所述第一測試焊盤的剩余部分暴露。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人愛思開海力士有限公司，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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