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龍圖騰網(wǎng)獲悉廣州集成電路技術(shù)研究院有限公司申請的專利半導(dǎo)體器件的制作方法和半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115188660B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110365936.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/033；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件的制作方法和半導(dǎo)體器件是由王仁里;許祖英;林盈志設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-04-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件的制作方法和半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體器件的制作方法和半導(dǎo)體器件，所述制作方法包括，在目標(biāo)層的上方依次設(shè)置掩模層和光阻層；在所述光阻層中形成第一切口，以在所述掩模層中形成第一暴露區(qū)；通過反應(yīng)在所述掩模層的第一暴露區(qū)中形成掩模層阻擋區(qū)；在所述光阻層中形成第二切口，以在所述掩模層中形成第二暴露區(qū)；根據(jù)所述掩模層阻擋區(qū)和所述第二暴露區(qū)對所述目標(biāo)層進(jìn)行蝕刻，以在所述目標(biāo)層中形成多個接觸開口。本發(fā)明的制作方法形成的接觸開口工藝流程簡單，提高工藝效率。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件的制作方法和半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 在目標(biāo)層的上方依次設(shè)置掩模層和光阻層； 在所述光阻層中形成多個第一切口，以在所述掩模層中形成多個第一暴露區(qū)； 通過反應(yīng)在所述掩模層的第一暴露區(qū)中形成多個掩模層阻擋區(qū)，所述掩模層阻擋區(qū)從所述掩模層表面延伸至所述掩模層一定深度內(nèi)，所述掩模層阻擋區(qū)的材料與所述掩模層的材料的蝕刻速率不同； 在所述光阻層中均勻地形成多個第二切口，以在所述掩模層中形成多個第二暴露區(qū)； 根據(jù)多個所述掩模層阻擋區(qū)和多個所述第二暴露區(qū)對所述目標(biāo)層進(jìn)行蝕刻，以在所述目標(biāo)層形成多個接觸開口，其中，所述掩模層阻擋區(qū)下方的所述目標(biāo)層區(qū)域不形成所述接觸開口。

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