ASM IP私人控股有限公司李昌敏獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉ASM IP私人控股有限公司申請的專利襯底處理設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113690122B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110494187.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01J37/32；該發(fā)明授權(quán)襯底處理設(shè)備是由李昌敏設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-05-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本襯底處理設(shè)備在說明書摘要公布了：一種能夠局部地控制等離子體強(qiáng)度并改善薄膜特性和厚度均勻性的襯底處理設(shè)備包括：供電單元、電連接到供電單元的處理單元和處理單元下方的襯底支撐單元，其中襯底支撐單元包括第一接地電極和第二接地電極。
本發(fā)明授權(quán)襯底處理設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種襯底處理設(shè)備，包括： 供電單元； 電連接到所述供電單元的處理單元；以及 所述處理單元下方的襯底支撐單元， 其中所述襯底支撐單元包括第一接地電極和第二接地電極， 其中第一接地電極和第二接地電極中的至少一個(gè)包括網(wǎng)狀接地電極， 其中所述網(wǎng)狀接地電極包括： 在第一方向上延伸的第一接地線；以及 在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的第二接地線， 其中所述第一接地線和所述第二接地線彼此電連接； 其中，在所述第一接地線和所述第二接地線彼此相交的多個(gè)第一部分中，所述襯底支撐單元的上表面與所述第一接地線之間的距離大于所述襯底支撐單元的上表面與所述第二接地線之間的距離，并且 在除了所述第一部分以外的第二部分中，所述襯底支撐單元的上表面與所述第一接地線之間的距離等于所述襯底支撐單元的上表面與所述第二接地線之間的距離。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人ASM IP私人控股有限公司，其通訊地址為：荷蘭阿爾梅勒；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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