美光科技公司卡邁勒·M·考爾道獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉美光科技公司申請的專利包含氧化物半導電材料的晶體管及相關微電子裝置、存儲器裝置、電子系統和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113764528B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110618742.0，技術領域涉及：H10D30/67；該發明授權包含氧化物半導電材料的晶體管及相關微電子裝置、存儲器裝置、電子系統和方法是由卡邁勒·M·考爾道;黃廣宇;劉海濤;合田晃設計研發完成，并于2021-06-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本包含氧化物半導電材料的晶體管及相關微電子裝置、存儲器裝置、電子系統和方法在說明書摘要公布了：本專利申請涉及包含氧化物半導電材料的晶體管，且涉及相關微電子裝置、存儲器裝置、電子系統和方法。一種晶體管包括下部接觸結構、溝道結構、介電填充結構和上部接觸結構。所述下部接觸結構包括第一氧化物半導電材料。所述溝道結構接觸所述下部接觸結構并且包括第二氧化物半導電材料，所述第二氧化物半導電材料的一或多個金屬的原子濃度比所述第一氧化物半導電材料的小。所述介電填充結構接觸所述溝道結構的內側表面并且具有相對于所述溝道結構凹進的上部表面。所述上部接觸結構包括第三氧化物半導電材料，所述第三氧化物半導電材料的所述一或多個金屬的原子濃度比所述溝道結構的大。所述上部接觸結構包括與所述介電填充結構的所述上部表面和所述溝道結構的所述內側表面接觸的第一部分，以及與所述溝道結構的所述上部表面接觸的第二部分。
本發明授權包含氧化物半導電材料的晶體管及相關微電子裝置、存儲器裝置、電子系統和方法在權利要求書中公布了：1.一種晶體管，其包括： 下部接觸結構，其包括具有第一原子濃度的銦的第一氧化物半導電材料； 溝道結構，其與所述下部接觸結構物理接觸并且包括第二氧化物半導電材料，所述第二氧化物半導電材料具有小于所述第一原子濃度的銦的第二原子濃度的銦； 介電填充結構，其與所述溝道結構的內側表面物理接觸且具有相對于所述溝道結構的上部表面豎直凹進的上部表面；以及 上部接觸結構，其包括第三氧化物半導電材料，所述第三氧化物半導電材料具有大于所述第二原子濃度的銦的第三原子濃度的銦，所述上部接觸結構和所述下部接觸結構中的每一者中的銦的量為非均勻的，且所述銦的量沿遠離所述溝道結構延伸的方向增加，所述上部接觸結構包括： 第一部分，其與所述介電填充結構的所述上部表面和所述溝道結構的所述內側表面物理接觸；以及 第二部分，其與所述溝道結構的所述上部表面物理接觸。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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