聯華電子股份有限公司郭致瑋獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉聯華電子股份有限公司申請的專利存儲裝置的制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115513367B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110690213.1，技術領域涉及：H10N50/10；該發明授權存儲裝置的制作方法是由郭致瑋;邱崇益設計研發完成，并于2021-06-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本存儲裝置的制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種存儲裝置的制作方法包括下列步驟。在基底上形成多個存儲單元。各存儲單元包括第一電極、第二電極與存儲材料層。第二電極在垂直方向上設置在第一電極之上，且存儲材料層在垂直方向上設置在第一電極與第二電極之間。在存儲單元上形成共形間隙壁層。在共形間隙壁層上形成非共形間隙壁層。形成第一開口在垂直方向上貫穿非共形間隙壁層的側壁部分以及共形間隙壁層的側壁部分。
本發明授權存儲裝置的制作方法在權利要求書中公布了：1.一種存儲裝置的制作方法，包括： 在基底上形成多個存儲單元，其中各該存儲單元包括： 第一電極； 第二電極，在垂直方向上設置在該第一電極之上；以及 存儲材料層，在該垂直方向上設置在該第一電極與該第二電極之間； 在該多個存儲單元上形成共形間隙壁層，其中該共形間隙壁層包括： 第一部分，在水平方向上形成在相鄰的該多個存儲單元之間； 第二部分，形成在各該存儲單元的該第二電極的側壁上；以及 第三部分，在該垂直方向上形成在該多個存儲單元上； 在該共形間隙壁層上形成非共形間隙壁層，其中該非共形間隙壁層包括： 第一部分，形成在該共形間隙壁層的該第一部分上； 第二部分，在該水平方向上形成在該共形間隙壁層的該第二部分上；以及 第三部分，在該垂直方向上形成在該多個存儲單元上，其中該非共形間隙壁層的該第三部分在該垂直方向上形成在該共形間隙壁層的該第三部分上，且各該存儲單元上的該非共形間隙壁層的該第三部分與該非共形間隙壁層的該第二部分的一部分形成凸出物結構；以及 形成第一開口，該第一開口在該垂直方向上貫穿該非共形間隙壁層的該第一部分以及該共形間隙壁層的該第一部分。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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