長鑫存儲技術有限公司劉翔獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116133380B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110980822.0，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體結構及其形成方法是由劉翔設計研發完成，并于2021-08-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種半導體結構及其形成方法。本申請提供的半導體結構的形成方法包括如下步驟：形成襯底，所述襯底包括本體部以及位于所述本體部表面的突起部；形成位于所述本體部上、且環繞所述突起部的側壁分布的柵電極；形成位于所述本體部中、且分布于所述柵電極的相對兩側的第一摻雜區和第二摻雜區。本申請一些實施例增大了具有所述柵電極、所述第一摻雜區和所述第二摻雜區的MOS器件中的溝道長度，降低了短溝道效應、并減少了漏電流，改善了半導體結構的電性能和良率。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括如下步驟： 形成襯底，所述襯底包括本體部以及位于所述本體部表面的突起部，包括：提供初始襯底，所述初始襯底包括第一輕摻雜區；形成覆蓋于所述初始襯底表面的初始絕緣層；刻蝕所述初始絕緣層和所述初始襯底，形成包括本體部以及位于所述本體部表面的突起部的襯底、以及位于所述突起部表面的絕緣層，所述突起部中包括所述第一輕摻雜區，所述本體部中無所述第一輕摻雜區； 形成位于所述本體部上、且環繞所述突起部的側壁分布的柵電極； 形成位于所述本體部中、且分布于所述柵電極的相對兩側的第一摻雜區和第二摻雜區。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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