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龍圖騰網獲悉上海華力集成電路制造有限公司申請的專利一種金屬柵器件制造方法、設備、介質、器件及光刻機獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114141626B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111320010.X，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種金屬柵器件制造方法、設備、介質、器件及光刻機是由夏禹;何志斌設計研發完成，并于2021-11-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種金屬柵器件制造方法、設備、介質、器件及光刻機在說明書摘要公布了：本發明屬于微電子技術領域，尤其涉及一種金屬柵器件制造方法及與之相應的設備、介質、器件和光刻機；通過有選擇地構建光刻區域，使器件的柵氧“下埋”，一方面解決了器件過高的問題；另一方面，使得金屬柵的區域相對下沉，避免了出現大塊金屬柵在研磨中被過度去除的問題。

本發明授權一種金屬柵器件制造方法、設備、介質、器件及光刻機在權利要求書中公布了：1.一種金屬柵器件制造方法，用于均勻去除虛設多晶硅和或避免金屬柵被過度去除，其特征在于，包括：掩膜定位開窗步驟（20）：打開第一器件區的硬掩膜（301），形成第一作業區（100）；所述第一作業區（100）包括第一隔離區的部分區域和第一活動區AA的部分區域；所述第一隔離區打開的部分和所述第一活動區AA打開的部分，兩者的外表層齊平或臺階高度小于第一預設臺階高度；活動區潛入步驟（30）：通過第一刻蝕制程，去除所述第一作業區（100）內所述第一活動區AA表層預設第一潛入深度的第一材料；所述第一隔離區與所述第一活動區AA形成預設深度的第一凹陷區（111）；調整修復步驟（40）：修復所述第一凹陷區（111）的側壁及底面；在所述側壁和所述底面生成第一修復膜（401）；所述第一作業區（100）中由所述第一刻蝕制程損傷的所述第一活動區AA的表層部分；被所述第一修復膜（401）覆蓋或填充；再次潛入步驟（50）：通過第二刻蝕制程，去除所述第一修復膜（401）；同時或進一步去除所述第一作業區（100）中所述第一隔離區的表層介質；所述第一隔離區用于器件功能區的隔離或功能區的劃分，所述第一隔離區與所述第一活動區AA形成預設深度的第二凹陷區（222）；柵氧構造步驟（60）：生長第一柵氧層（501）到所述第二凹陷區（222），使所述第一柵氧層（501）達到預設的第一厚度；所述第一柵氧層（501）的表面與所述第一隔離區位于所述第一作業區（100）部分的表面形成第三凹陷區（333）；所述第三凹陷區（333）的臺階高度小于第三預設臺階高度；金屬柵制備步驟（70）：制作第一金屬柵（601）到所述第三凹陷區（333）；所述第一金屬柵（601）由層間介質層（701）包圍并達到第四預設臺階高度；所述第一器件區為高壓器件區；所述第一器件區所在的同一襯底上還同步制備有第二器件區，所述第二器件區的額定工作電壓為第二耐壓值，所述第一器件區的額定工作電壓為第一耐壓值；所述第一耐壓值高于所述第二耐壓值預設的倍數N；其中，N為大于1的實數。

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