上海新陽半導體材料股份有限公司;上海芯刻微材料技術有限責任公司方書農獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海新陽半導體材料股份有限公司;上海芯刻微材料技術有限責任公司申請的專利KrF光源厚膜光刻膠組合物及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116203794B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111444417.3，技術領域涉及：G03F7/004；該發(fā)明授權KrF光源厚膜光刻膠組合物及其制備方法是由方書農;王溯;耿志月;崔中越設計研發(fā)完成，并于2021-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本KrF光源厚膜光刻膠組合物及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種KrF光源厚膜光刻膠組合物及其制備方法。具體地，本發(fā)明公開了一種包含如式Ⅰ所示的光產酸劑的KrF厚膜光刻膠組合物，由該光刻膠組合物形成的光刻膠膠膜矩形性佳。
本發(fā)明授權KrF光源厚膜光刻膠組合物及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種KrF厚膜光刻膠組合物，其特征在于，其包括如式Ⅰ所示的光產酸劑； 式Ⅰ中，n為0、1、2或3； R1為-COOR1-1或C1-4烷基；R1-1為C1-4烷基； R2為C1-4烷基； 所述的KrF厚膜光刻膠組合物包括：光敏聚合物、三乙醇胺、溶劑和式Ⅰ所式的光產酸劑； 所述的光敏聚合物為單體A、單體B和單體C進行加聚反應得到的光敏聚合物，所述的單體A為所述的單體B為所述的單體C為所述的單體A、所述的單體B和所述的單體C的摩爾比為66.5:8.5:25。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人上海新陽半導體材料股份有限公司;上海芯刻微材料技術有限責任公司，其通訊地址為：201616 上海市松江區(qū)思賢路3600號；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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