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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海集成電路研發(fā)中心有限公司;上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司申請的專利CMOS圖像傳感器及制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114256283B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111657644.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F39/18；該發(fā)明授權(quán)CMOS圖像傳感器及制造方法是由孫德明設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-12-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本CMOS圖像傳感器及制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種CMOS圖像傳感器及制造方法，所述CMOS圖像傳感器包括：襯底，襯底具有P型外延層；形成于P型外延層中的光電二極管；形成于P型外延層中的第一P型接觸區(qū)、形成于第一P型接觸區(qū)下方的P型外延層中的第一P型摻雜區(qū)以及形成于第一P型接觸區(qū)上方的第一金屬焊盤，通過第一P型摻雜區(qū)與P型外延層在第一金屬焊盤與光電二極管之間形成電子勢阱。本發(fā)明中，利用第一P型摻雜區(qū)作為第一P型接觸區(qū)與光電二極管之間的電子勢壘，以防止第一金屬焊盤通過第一P型接觸區(qū)向光電二極管發(fā)射電子形成暗電流，并利用第一P型接觸區(qū)與第一P型摻雜區(qū)之間的P型外延層作為電子勢阱容納該些電子，從而降低CMOS圖像傳感器的暗電流。

本發(fā)明授權(quán)CMOS圖像傳感器及制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種CMOS圖像傳感器，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底具有P型外延層； 形成于所述P型外延層中的光電二極管； 形成于所述P型外延層中的第一P型接觸區(qū)、淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)、形成于所述第一P型接觸區(qū)下方的P型外延層中的第一P型摻雜區(qū)以及形成于所述第一P型接觸區(qū)上方的第一金屬焊盤，所述第一P型接觸區(qū)位于所述光電二極管的一側(cè)，兩個(gè)所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)設(shè)于所述第一P型接觸區(qū)及所述第一P型摻雜區(qū)的兩側(cè)，通過所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)、所述第一P型摻雜區(qū)與所述P型外延層在所述第一金屬焊盤與所述光電二極管之間形成電子勢阱，所述第一P型摻雜區(qū)的摻雜濃度為6×1017cm3～5×1018cm3。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人上海集成電路研發(fā)中心有限公司;上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司，其通訊地址為：201210 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)高斯路497號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。